频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
　　工作电压：28 V
　　输出功率：60 W（典型值）
　　增益：约18 dB
　　效率：约40% @ P3dB
　　封装类型：SMD（表面贴装）
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

MRF19060S具备一系列优异的电气和机械特性，确保其在高强度工作环境中的稳定运行。首先，该器件采用了先进的LDMOS技术，提供了高功率密度、高效率以及良好的线性度，适用于需要高保真信号放大的通信系统。其次，MRF19060S在1.8GHz至2.7GHz的宽频率范围内具有良好的性能，使其能够兼容多种通信标准，如GSM、WCDMA、LTE等。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和耐久性，其SMD封装设计有助于提高散热效率，并减少PCB布局的复杂性。
　　该器件的典型输出功率为60W，增益约为18dB，漏极效率可达40%以上，这使得它在高功率放大应用中表现出色。MRF19060S还具有良好的抗失真能力，适合用于多载波和宽带放大器设计。其50Ω的输入/输出阻抗匹配降低了外围匹配电路的设计难度，简化了系统集成过程。此外，该器件支持在-40°C至+150°C的宽温度范围内工作，确保其在各种恶劣环境条件下的可靠运行。

MRF19060S广泛应用于现代无线通信系统中的射频功率放大器模块。其主要应用领域包括蜂窝基站（如GSM、WCDMA、LTE）、宽带无线接入设备、数字广播发射机、工业测试设备以及医疗成像设备中的射频信号放大模块。由于其高效率和高线性度的特性，该器件特别适合用于多载波通信系统中，以满足对信号质量和系统稳定性的严格要求。此外，MRF19060S也可用于需要高可靠性与高功率输出的军事通信和应急通信设备中。

MRF19060, MRF19045S