您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MRF19060R3

MRF19060R3 发布时间 时间:2025/9/3 9:41:46 查看 阅读:10

MRF19060R3 是一款由 NXP(恩智浦)公司推出的射频功率晶体管(RF Power Transistor),属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的产品。该器件专为在高频应用中提供高功率输出而设计,适用于广播、通信基础设施、工业加热、医疗设备以及测试仪器等领域。MRF19060R3能够在1.8 GHz至6 GHz的频率范围内高效工作,提供高达600 W的连续波(CW)输出功率,具有优异的线性度和热稳定性。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  工作频率范围:1.8 GHz - 6 GHz
  输出功率(CW):600 W
  漏极电压(VD):65 V
  栅极电压(VG):-2.5 V(典型)
  输入驻波比(VSWR):20:1
  增益:约27 dB
  效率(Efficiency):65%以上
  封装形式:Air cavity陶瓷封装
  热阻(Rth):0.15°C/W(结到外壳)

特性

MRF19060R3具备出色的高频性能和高功率处理能力,其LDMOS结构使其在高频率下仍能保持良好的效率和线性度。该器件采用先进的封装技术,确保良好的散热性能,从而提高可靠性和使用寿命。此外,MRF19060R3支持宽频带操作,使其适用于多种通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。
  该晶体管的输入和输出阻抗匹配良好,降低了外部匹配网络的复杂性,从而简化了设计流程。其高增益特性也减少了前级驱动的需求,有助于提高系统整体效率。MRF19060R3具有良好的抗失配能力(可承受高达20:1的VSWR),在负载变化较大的环境下仍能保持稳定运行。
  另外,MRF19060R3支持多种调制方式,包括模拟和数字调制,适合用于多载波放大器和宽带通信系统。其低失真特性使得该器件在需要高信号保真的应用场景中表现出色。

应用

MRF19060R3广泛应用于各类射频和微波系统中,特别是在需要高功率输出和高线性度的场合。典型应用包括蜂窝通信基站(如4G LTE、5G NR)、广播发射机(如DVB-T、ATSC)、工业和医疗射频设备、宽带放大器、频谱分析仪和信号发生器等测试设备。
  由于其宽频带特性和高效率,MRF19060R3也非常适合用于多频段、多标准通信系统的功率放大模块设计。此外,该器件在军事通信、雷达系统以及高功率无线测试平台中也有广泛应用。在广播领域,它可用于数字电视和调频广播发射系统,提供高稳定性和高输出功率。
  在工业应用中,MRF19060R3可用于射频能量加热、等离子体产生和材料处理等高功率射频系统。其优异的热管理和高可靠性使其成为长期连续运行系统的理想选择。

替代型号

NXP MRF19060R3的替代型号包括MRF19060R4、MRF19060R2、MRF19070DN20、MRF19080DN20等,这些型号在输出功率、频率范围和封装形式上有所不同,可根据具体应用需求进行选择。

MRF19060R3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MRF19060R3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载