时间：2025/9/3 13:18:52
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MRF181 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的射频（RF）功率晶体管，主要用于高频射频功率放大应用。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术制造，具有高增益、高效率和良好的热稳定性。MRF181 特别适用于广播、无线基础设施、工业加热、射频测试设备以及通信系统中的射频功率放大器设计。
类型：LDMOS 射频功率晶体管
最大漏极电压（Vds）：65V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
最大工作频率：500MHz
输出功率（典型值）：125W
增益（典型值）：22dB
漏极电流（Id）：3.5A
封装类型：TO-247
工作温度范围：-65°C ~ +150°C
MRF181 采用 LDMOS 技术，具备出色的线性度和效率，非常适合用于需要高输出功率和高稳定性的射频应用。该器件在 500MHz 以下频率范围内表现出色，能够在 65V 高电压下工作，提供高达 125W 的输出功率。其高增益特性（22dB）减少了对前级放大器的要求，从而简化了整体设计。
此外，MRF181 具有良好的热性能和稳定性，能够在极端温度条件下工作，适用于工业和通信设备中的严苛环境。其 TO-247 封装形式便于安装在散热器上，有助于提高热管理效率，延长器件寿命。
该晶体管还具备高可靠性，适用于连续高功率运行，广泛用于广播发射机、无线基站、射频测试仪器以及工业加热设备中。
MRF181 主要应用于射频功率放大器的设计，常见于广播电台、无线通信基础设施、工业射频加热系统、医疗射频设备以及射频测试与测量仪器等领域。它适用于需要高输出功率和良好线性度的系统，如 FM 广播发射机、电视发射机、无线基站功率放大器模块等。
MRF181G, MRF181S, MRF181GT
