MRF181 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于高频射频功率放大应用。该器件采用先进的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,具有高增益、高效率和良好的热稳定性。MRF181 特别适用于广播、无线基础设施、工业加热、射频测试设备以及通信系统中的射频功率放大器设计。
类型:LDMOS 射频功率晶体管
最大漏极电压(Vds):65V
最大栅极电压(Vgs):±20V
最大工作频率:500MHz
输出功率(典型值):125W
增益(典型值):22dB
漏极电流(Id):3.5A
封装类型:TO-247
工作温度范围:-65°C ~ +150°C
MRF181 采用 LDMOS 技术,具备出色的线性度和效率,非常适合用于需要高输出功率和高稳定性的射频应用。该器件在 500MHz 以下频率范围内表现出色,能够在 65V 高电压下工作,提供高达 125W 的输出功率。其高增益特性(22dB)减少了对前级放大器的要求,从而简化了整体设计。
此外,MRF181 具有良好的热性能和稳定性,能够在极端温度条件下工作,适用于工业和通信设备中的严苛环境。其 TO-247 封装形式便于安装在散热器上,有助于提高热管理效率,延长器件寿命。
该晶体管还具备高可靠性,适用于连续高功率运行,广泛用于广播发射机、无线基站、射频测试仪器以及工业加热设备中。
MRF181 主要应用于射频功率放大器的设计,常见于广播电台、无线通信基础设施、工业射频加热系统、医疗射频设备以及射频测试与测量仪器等领域。它适用于需要高输出功率和良好线性度的系统,如 FM 广播发射机、电视发射机、无线基站功率放大器模块等。
MRF181G, MRF181S, MRF181GT