MRF18090AS 时间：2025/9/3 9:01:08 阅读：4

MRF18090AS 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能射频（RF）功率晶体管，主要用于高频通信和工业应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高功率增益、优良的热稳定性和高效能的特点。MRF18090AS专为在800 MHz至1000 MHz频段内工作的应用而设计，广泛用于基站放大器、广播设备和测试仪器等。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　最大漏极电流（ID(max)）：3.5 A
　　最大工作电压（VDSS）：65 V
　　频率范围：800 MHz - 1 GHz
　　输出功率：90 W
　　增益：约20 dB
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF18090AS 的核心优势在于其采用先进的LDMOS技术，这使其在高频操作下仍能保持良好的性能和稳定性。其高输出功率能力使其成为需要高线性度和高效放大的应用的理想选择。此外，该晶体管的高增益设计减少了对多级放大器的需求，从而简化了系统设计并降低了整体成本。MRF18090AS还具有良好的热管理和可靠性，确保在高功率操作下长期稳定运行。
　　该器件的另一个显著特性是其宽工作电压范围（最高65V），使其适用于多种电源配置。同时，其表面贴装封装形式便于自动化装配，适用于现代高密度PCB设计。此外，MRF18090AS具备出色的失真性能，在多载波通信系统中表现出色。

应用

MRF18090AS 常用于800 MHz至1 GHz频段的无线通信基础设施，包括蜂窝基站、无线本地环路（WLL）系统和中继器。此外，该器件适用于广播设备，如UHF电视发射机和FM广播放大器。它也常用于工业和测试设备，例如RF测试仪、频谱分析仪和功率放大器模块。在军事和航空航天应用中，该晶体管用于高可靠性通信系统和雷达模拟设备。