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MRF18060ALS 发布时间 时间:2025/9/4 2:00:27 查看 阅读:11

MRF18060ALS是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的射频(RF)功率晶体管,属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的高功率射频晶体管系列。该器件设计用于在高频应用中提供高功率输出和高效率,广泛应用于无线通信基础设施、广播设备、工业加热和医疗设备等领域。MRF18060ALS支持在1.8 GHz至6 GHz的频率范围内工作,具有优异的线性度和热稳定性,适合用于现代通信系统中的射频放大器设计。

参数

频率范围:1.8 GHz - 6 GHz
  工作电压:28 V
  输出功率:60 W
  增益:> 20 dB
  效率:> 60%
  封装类型:SOT-1220
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  输入驻波比(VSWR):< 2.5:1
  输出驻波比(VSWR):< 1.5:1

特性

MRF18060ALS采用了先进的LDMOS工艺技术,具备高功率密度和良好的线性度,使其在高频率应用中表现出色。
  该器件能够在宽频率范围内(1.8 GHz至6 GHz)稳定工作,适用于多频段通信系统的设计需求。
  MRF18060ALS的工作电压为28 V,输出功率可达60 W,增益大于20 dB,效率超过60%,在高功率放大应用中表现出色。
  其输入和输出驻波比(VSWR)分别低于2.5:1和1.5:1,确保了良好的信号传输匹配性和低反射损耗。
  封装采用SOT-1220形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合在高温环境下长时间运行。
  此外,该器件具备出色的热稳定性和可靠性,能够在-40°C至+150°C的温度范围内正常工作,满足工业级应用的需求。
  MRF18060ALS的高线性度使其适用于现代通信系统中的高保真放大器设计,尤其是在4G、5G基站和广播设备中具有广泛的应用前景。

应用

MRF18060ALS主要用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信基站、广播发射机、测试与测量设备、工业加热设备以及医疗射频设备等应用场景。
  在无线通信领域,该器件可用于4G、5G宏基站和小型基站的射频功率放大器模块,提供高效率和高线性度的信号放大能力。
  在广播设备中,MRF18060ALS可用于数字电视(DTV)和调频广播(FM)发射机的末级放大器,确保高输出功率和信号稳定性。
  该器件也适用于射频测试设备和测量仪器,为研发和生产测试提供可靠的功率放大支持。
  在工业和医疗应用中,MRF18060ALS可用于射频能量发生器,实现精确的加热和材料处理控制。
  由于其宽频带特性,该晶体管也可用于多频段或多标准通信设备的设计,满足不同通信协议和频段的兼容性要求。

替代型号

MRF18060ALSR2, MRF18060AN, MRF18060A, MRF18060

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