类型：LDMOS射频功率晶体管
　　制造商：NXP Semiconductors
　　频率范围：DC至500 MHz（典型应用在UHF和L波段）
　　输出功率：35W（典型值）
　　工作电压：28V
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：65%以上（典型）
　　输入回波损耗：>15dB
　　输出回波损耗：>12dB
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：陶瓷金属封装（CM-Pak）

MRF18035采用了先进的LDMOS技术，具有出色的线性度和效率，适用于多载波通信系统。其高输出功率能力使其成为基站放大器、电视广播发射机和工业加热设备中的理想选择。该器件在28V的漏极电压下工作，提供了良好的功率增益和能效，有助于减少系统的功耗和散热需求。
　　该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下长时间运行。此外，MRF18035具有较高的输入和输出回波损耗，有助于减少信号反射，提高系统的整体稳定性。其CM-Pak封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率操作时仍能保持较低的结温。
　　该器件还具备良好的抗失配能力，能够在负载变化的情况下保持稳定的输出性能，减少了对外部匹配网络的依赖。这使得MRF18035非常适合用于需要高可靠性和高性能的射频功率放大器设计。

MRF18035主要用于射频功率放大器模块，适用于UHF和L波段的通信系统。典型应用包括移动通信基站、DVB-T（数字视频广播-地面）发射机、工业加热设备、射频测试仪器和雷达系统。由于其高效率和高功率输出，该器件也常用于广播设备，如FM和TV发射机中的最终放大级。

MRF18035可以被MRF18040、MRF18060、MRF18070等型号替代，具体选择取决于所需的输出功率和系统设计要求。此外，对于某些特定应用，也可以使用其他厂商的LDMOS射频功率晶体管进行替换，例如STMicroelectronics的STAC18035或富士通的FLL180MH。