制造商: NXP Semiconductors
　　类型: 射频功率晶体管 (LDMOS)
　　工作频率范围: 1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率: 最大可达 175 W (典型值)
　　增益: 25 dB（典型值）
　　效率: 40% 以上（典型值）
　　工作电压: 28 V
　　封装类型: 封装形式为高功率气密封装
　　输入和输出阻抗: 50 Ω
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C

MRF177M 的主要特性之一是其在 1.8 GHz 到 2.2 GHz 频率范围内能够提供高达 175 W 的输出功率，适用于高要求的射频功率放大应用。其 LDMOS 技术确保了高效率和出色的线性度，这对于现代通信系统中减少失真和提高频谱效率至关重要。此外，MRF177M 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下长时间运行。
　　该晶体管的典型增益为 25 dB，这减少了对前级放大器的需求，简化了整体设计并降低了系统复杂度。同时，其高效率（通常超过 40%）有助于降低功耗和散热需求，从而提高整体系统的能效并延长设备寿命。MRF177M 还具有出色的抗失真能力和良好的互调性能，使其在需要高信号完整性的应用中表现出色。
　　在封装方面，MRF177M 采用高功率气密封装，确保了良好的热管理和机械稳定性，适用于高功率密度的设计。该封装还能有效防止湿气和灰尘的影响，提高器件在恶劣环境下的可靠性。MRF177M 支持宽温度范围（-65°C 至 +150°C），适合在各种气候条件下使用，包括工业和户外应用。

MRF177M 主要用于各种射频功率放大器设计，特别是在无线通信基础设施中，如 3G、4G 和 LTE 基站的发射模块。它也广泛应用于广播发射机，如 FM 广播和电视广播系统，用于放大高频信号以实现远距离传输。此外，MRF177M 还可用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频设备，如 RFID 读写器、无线传感器网络和工业加热设备。由于其高输出功率和优异的线性度，该晶体管也可用于测试设备和测量仪器中的信号发生器和功率放大模块。在军事和航空航天领域，MRF177M 可用于战术通信设备和雷达系统中的射频功率放大器部分。

MRF177, MRF178, MRF1505