MRF175L 时间：2025/9/3 1:00:02 阅读：26

MRF175L 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高功率射频（RF）功率晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管家族。这款器件广泛应用于射频放大器、通信设备、广播发射机和其他需要高功率和高频率操作的领域。MRF175L 设计用于在 1.8 MHz 到 175 MHz 的频率范围内工作，适用于 AM、FM 和 TV 广播发射机以及工业、科学和医疗（ISM）设备中的高功率放大。

参数

类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　频率范围：1.8 MHz 至 175 MHz
　　输出功率：典型值为 175 W
　　漏极电压：最大 32 V
　　工作电流：最大 20 A
　　输入阻抗：50 Ω
　　输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：大功率金属封装（例如：AB包）
　　增益：典型值为 18 dB
　　效率：典型值为 60%
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF175L 具有多个关键特性，使其成为高功率射频应用中的理想选择。首先，该器件采用先进的 LDMOS 技术制造，提供高增益、高效率和高线性度，适用于需要大信号放大和低失真的应用。其次，MRF175L 在 1.8 MHz 到 175 MHz 的频率范围内具有出色的性能，支持多种射频应用，包括广播发射机、工业加热设备和测试仪器。此外，该晶体管具有出色的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下长时间工作，确保系统运行的可靠性。
　　该器件的输入和输出阻抗均为 50 Ω，便于与标准射频系统进行匹配，减少外部匹配电路的复杂性。MRF175L 的典型增益为 18 dB，能够提供足够的信号放大，适用于中高功率放大器阶段。其典型效率为 60%，有助于降低功耗并提高系统的能源利用效率。此外，该晶体管可承受高达 32 V 的漏极电压和 20 A 的工作电流，具备较强的过载能力。
　　在封装方面，MRF175L 采用大功率金属封装（如 AB 包），提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于高功率连续波（CW）或脉冲信号放大。其工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，适用于各种恶劣的工业和户外环境。

应用

MRF175L 广泛应用于多个领域，尤其是在需要高功率射频放大的场景中。最常见的应用之一是广播发射机，包括 AM、FM 和 TV 广播发射系统，用于放大射频信号以实现远距离传输。此外，该器件还广泛应用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子体发生器和材料处理系统。
　　在通信领域，MRF175L 可用于 HF（高频）和 VHF（甚高频）频段的无线通信系统，包括短波通信、军事通信和应急通信设备。在测试和测量设备中，该晶体管可用于构建高功率射频信号源和放大器模块，支持各种射频测试和验证工作。
　　此外，MRF175L 还可用于射频激励器、功率放大器模块和射频能量应用，如射频感应加热、射频等离子体切割和射频焊接设备。由于其高可靠性和高效率，该器件在许多工业自动化和高功率电子系统中也得到了广泛应用。