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MRF175L 发布时间 时间:2025/9/3 1:00:02 查看 阅读:11

MRF175L 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的高功率射频(RF)功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管家族。这款器件广泛应用于射频放大器、通信设备、广播发射机和其他需要高功率和高频率操作的领域。MRF175L 设计用于在 1.8 MHz 到 175 MHz 的频率范围内工作,适用于 AM、FM 和 TV 广播发射机以及工业、科学和医疗(ISM)设备中的高功率放大。

参数

类型:LDMOS 射频功率晶体管
  频率范围:1.8 MHz 至 175 MHz
  输出功率:典型值为 175 W
  漏极电压:最大 32 V
  工作电流:最大 20 A
  输入阻抗:50 Ω
  输出阻抗:50 Ω
  封装类型:大功率金属封装(例如:AB包)
  增益:典型值为 18 dB
  效率:典型值为 60%
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

MRF175L 具有多个关键特性,使其成为高功率射频应用中的理想选择。首先,该器件采用先进的 LDMOS 技术制造,提供高增益、高效率和高线性度,适用于需要大信号放大和低失真的应用。其次,MRF175L 在 1.8 MHz 到 175 MHz 的频率范围内具有出色的性能,支持多种射频应用,包括广播发射机、工业加热设备和测试仪器。此外,该晶体管具有出色的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下长时间工作,确保系统运行的可靠性。
  该器件的输入和输出阻抗均为 50 Ω,便于与标准射频系统进行匹配,减少外部匹配电路的复杂性。MRF175L 的典型增益为 18 dB,能够提供足够的信号放大,适用于中高功率放大器阶段。其典型效率为 60%,有助于降低功耗并提高系统的能源利用效率。此外,该晶体管可承受高达 32 V 的漏极电压和 20 A 的工作电流,具备较强的过载能力。
  在封装方面,MRF175L 采用大功率金属封装(如 AB 包),提供了良好的散热性能和机械稳定性,适用于高功率连续波(CW)或脉冲信号放大。其工作温度范围为 -65°C 至 +150°C,适用于各种恶劣的工业和户外环境。

应用

MRF175L 广泛应用于多个领域,尤其是在需要高功率射频放大的场景中。最常见的应用之一是广播发射机,包括 AM、FM 和 TV 广播发射系统,用于放大射频信号以实现远距离传输。此外,该器件还广泛应用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备,如射频加热、等离子体发生器和材料处理系统。
  在通信领域,MRF175L 可用于 HF(高频)和 VHF(甚高频)频段的无线通信系统,包括短波通信、军事通信和应急通信设备。在测试和测量设备中,该晶体管可用于构建高功率射频信号源和放大器模块,支持各种射频测试和验证工作。
  此外,MRF175L 还可用于射频激励器、功率放大器模块和射频能量应用,如射频感应加热、射频等离子体切割和射频焊接设备。由于其高可靠性和高效率,该器件在许多工业自动化和高功率电子系统中也得到了广泛应用。

替代型号

MRF150L, MRF243, BLF177, MRFE6VP61K25H

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