MRF138 时间：2025/9/3 7:43:50 阅读：34

MRF138 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高频、高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于射频（RF）功率放大应用。该器件设计用于在高频率下工作，适用于广播、工业和通信设备中的功率放大器电路。MRF138 能够在UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段提供高输出功率和高效率，是许多专业射频应用中的常用元件。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：125 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.3 A
　　最大功耗（PD）：60 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB
　　频率范围：典型用于50 MHz至500 MHz
　　增益：约13 dB @ 225 MHz
　　输出功率：约10 W @ 225 MHz

特性

MRF138 具有出色的高频性能和高可靠性，非常适合用于要求高稳定性和高效率的射频功率放大器系统。该器件的N沟道MOSFET结构能够在相对较高的电压下工作，同时保持较低的导通电阻，从而减少功率损耗。其高输入阻抗特性减少了对外部驱动电路的要求，使设计更加简洁高效。
　　MRF138 还具有良好的热稳定性，其封装设计允许良好的散热性能，从而提高器件在高功率操作下的可靠性。此外，该器件具有较高的线性度，适合用于需要低失真的应用，如通信系统中的发射机放大器。
　　该MOSFET的栅极保护设计使其能够承受较高的栅源电压，提高了抗过载能力。同时，其固有的抗二次击穿能力使其在开关应用中更加稳定。MRF138 的设计使其能够在较宽的频率范围内工作，使其适用于多种射频放大器拓扑结构。

应用

MRF138 常用于射频功率放大器的设计，特别是在广播、无线通信、业余无线电（HAM Radio）和工业测试设备中。该器件适合用于VHF和UHF频段的信号放大，如FM广播发射器、无线数据传输系统、射频加热系统和功率合成器。
　　在实际应用中，MRF138 通常被用作驱动级或末级放大器，能够提供稳定的输出功率并保持较高的能效。由于其良好的线性度和稳定性，该器件也广泛应用于需要低失真的放大电路中，例如在多级放大器结构中作为中间功率放大级。