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MRF138 发布时间 时间:2025/9/3 7:43:50 查看 阅读:10

MRF138 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的高频、高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于射频(RF)功率放大应用。该器件设计用于在高频率下工作,适用于广播、工业和通信设备中的功率放大器电路。MRF138 能够在UHF(特高频)和VHF(甚高频)频段提供高输出功率和高效率,是许多专业射频应用中的常用元件。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):125 V
  最大栅源电压(VGS):±20 V
  最大连续漏极电流(ID):1.3 A
  最大功耗(PD):60 W
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220AB
  频率范围:典型用于50 MHz至500 MHz
  增益:约13 dB @ 225 MHz
  输出功率:约10 W @ 225 MHz

特性

MRF138 具有出色的高频性能和高可靠性,非常适合用于要求高稳定性和高效率的射频功率放大器系统。该器件的N沟道MOSFET结构能够在相对较高的电压下工作,同时保持较低的导通电阻,从而减少功率损耗。其高输入阻抗特性减少了对外部驱动电路的要求,使设计更加简洁高效。
  MRF138 还具有良好的热稳定性,其封装设计允许良好的散热性能,从而提高器件在高功率操作下的可靠性。此外,该器件具有较高的线性度,适合用于需要低失真的应用,如通信系统中的发射机放大器。
  该MOSFET的栅极保护设计使其能够承受较高的栅源电压,提高了抗过载能力。同时,其固有的抗二次击穿能力使其在开关应用中更加稳定。MRF138 的设计使其能够在较宽的频率范围内工作,使其适用于多种射频放大器拓扑结构。

应用

MRF138 常用于射频功率放大器的设计,特别是在广播、无线通信、业余无线电(HAM Radio)和工业测试设备中。该器件适合用于VHF和UHF频段的信号放大,如FM广播发射器、无线数据传输系统、射频加热系统和功率合成器。
  在实际应用中,MRF138 通常被用作驱动级或末级放大器,能够提供稳定的输出功率并保持较高的能效。由于其良好的线性度和稳定性,该器件也广泛应用于需要低失真的放大电路中,例如在多级放大器结构中作为中间功率放大级。

替代型号

MRF138G, MRF138MR1

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