您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MRF1004MA

MRF1004MA 发布时间 时间:2025/9/3 5:52:49 查看 阅读:6

MRF1004MA 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的高性能射频功率晶体管(RF Power Transistor),采用 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造。该器件专为高功率射频放大应用而设计,适用于工业、科学和医疗(ISM)频段、广播、通信基础设施以及测试设备等多个领域。MRF1004MA 具有高效率、高增益和出色的热稳定性,能够在较高的频率范围内工作,支持从几十 MHz 到 4 GHz 以上的广泛应用。

参数

类型:LDMOS 射频功率晶体管
  封装形式:陶瓷金属封装(Ceramic/Metal)
  最大漏极电流(ID(max)):500 mA
  最大漏-源电压(VDS(max)):65 V
  最大栅-源电压(VGS(max)):±20 V
  最大耗散功率(PD(max)):100 W
  频率范围:DC 至 4 GHz
  增益(典型值):20 dB @ 1 GHz
  输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大)
  输出驻波比(VSWR):5:1(最大)

特性

MRF1004MA 具有出色的射频功率处理能力,能够在高频段维持稳定的性能表现。该器件采用先进的 LDMOS 工艺,提供高增益和高效率,同时具备良好的线性度和热稳定性,适用于高线性度要求的射频放大系统。其坚固的封装结构确保在恶劣工作环境下的可靠性和长寿命,同时具备良好的抗驻波比(VSWR)耐受能力,能够在负载失配的情况下正常工作。此外,MRF1004MA 还具有较低的热阻,有助于在高功率运行时保持较低的结温,提高系统的整体稳定性和可靠性。
  这款晶体管通常用于宽带射频放大器、广播发射机、通信基站、医疗射频设备以及各种测试和测量仪器中。其宽频特性使其在多频段或多用途射频系统中具有很高的灵活性,适合用于设计可覆盖多个频段的放大模块。此外,MRF1004MA 的输入和输出阻抗匹配设计也便于与常见的 50Ω 射频系统进行集成。

应用

MRF1004MA 主要用于需要高功率和高频率性能的射频放大系统。典型应用包括无线通信基站的射频功率放大器、广播发射设备、工业加热系统、射频测试设备、雷达模拟器、医疗射频治疗设备以及各类宽频带射频放大模块。由于其宽频率范围和高可靠性,MRF1004MA 在多频段通信系统和宽带射频设计中具有广泛的应用前景。

替代型号

MRF1004MA 的替代型号包括 MRF1004N、MRF1004NS、MRF1014MA 和 MRF1014NS。这些型号在性能和封装上略有不同,可根据具体应用需求进行选择。例如,MRF1004N 采用塑料封装,适用于成本敏感型设计;而 MRF1014MA 则具有更高的输出功率和改进的热性能,适用于更高功率的应用场景。

MRF1004MA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MRF1004MA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载