时间：2025/9/13 11:24:49
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MRD530B 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关和电池管理系统等。MRD530B 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性。其封装形式通常为表面贴装型（如 TSMT4 或 DFN 封装），适用于高密度 PCB 设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 4.9mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSMT4 或等效
MRD530B 的主要特性包括极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使得该器件适用于大功率应用。此外，MRD530B 采用了先进的沟槽结构，优化了导通特性和开关性能，从而减少了开关损耗。该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适合工业级和汽车电子应用。
MRD530B 还具备快速开关能力，适用于高频开关电路，减少了对外部散热器的依赖。其封装设计具有良好的热管理性能，有助于将热量有效地传导到 PCB 上。该器件符合 RoHS 标准，无铅且符合环保要求，适用于现代电子产品设计。
MRD530B 主要应用于需要高效能功率管理的系统中，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电机控制、负载开关、电池保护电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。此外，该器件也可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、服务器电源模块和储能系统中的功率转换部分。
SiSSPM60N30C2K、FDMS86180、IRF3710、IPB030N03CA
