MRD3050 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的功率 MOSFET 模块,主要用于高功率和高频率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供高效、低导通损耗和快速开关性能,适用于工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动和可再生能源系统等领域。
类型:功率 MOSFET 模块
最大漏极电压 VDSS:500V
最大漏极电流 ID:30A
导通电阻 RDS(on):典型值 0.16Ω
栅极电荷 Qg:典型值 80nC
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247 或等效模块封装
MRD3050 采用先进的沟槽栅极设计,具备极低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。其高耐压能力(500V)使其适用于多种中高功率应用。
此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提高开关频率,适用于高频电源转换器设计。同时,MRD3050 具有良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行,适用于要求高可靠性的工业和电力电子系统。
该模块还具备较强的短路耐受能力,提高了器件在极端工况下的可靠性。此外,其封装设计优化了散热性能,便于安装散热器,提升整体散热效率。MRD3050 还具备良好的抗电磁干扰(EMI)特性,有助于降低系统噪声,提高电源系统的稳定性。
MRD3050 主要应用于工业电源、不间断电源(UPS)、电机控制与驱动、DC-DC 转换器、光伏逆变器、电焊机、高频感应加热等高功率电子设备中。其高效、低损耗的特性使其在需要高可靠性和高性能的电源系统中表现出色。此外,该器件也常用于开关电源(SMPS)设计中,作为主开关管或同步整流管使用,能够有效提升整体能效和功率密度。
IXFN30N50P, STP30N50, FDPF30N50, IRFP460A