类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：6
　　工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，最大7.8V
　　钳位电压（VC）：13.0V @ IPP = 1.7A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.7A
　　漏电流（IR）：小于1μA
　　结电容（Cj）：典型值2.0pF per channel
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOT-23-6L 或同等小型化表面贴装封装
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：IEC 61000-4-2 ±15kV（接触放电）
　　反向工作电压：5V

MRA-6SM具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应高达±15kV的静电放电冲击，确保被保护线路在恶劣电磁环境中稳定运行。其核心优势之一是超低的结电容，每个通道典型值仅为2.0pF，这一特性使其非常适合高速数据接口应用，如USB 2.0、HDMI、SD卡接口和各种串行通信总线（I2C、SPI、UART等），因为在这些应用中高频信号容易受到寄生电容的影响而导致失真或衰减。由于结电容小，信号完整性得以有效保持，不会引入明显的延迟或反射问题。
　　该器件采用雪崩型半导体工艺制造，具有稳定的击穿特性和优异的能量吸收能力。在遭受瞬态浪涌事件时，MRA-6SM能迅速从高阻态切换到低阻态，响应时间小于1纳秒，几乎可以即时箝制电压，防止过压传递至下游集成电路。其钳位电压在1.7A的峰值脉冲电流下被限制在13.0V以内，这为后端CMOS逻辑电路提供了足够的安全裕度。此外，器件支持双向保护模式，可应对正负极性的瞬态干扰，增强了系统在复杂电磁环境下的鲁棒性。
　　MRA-6SM的六通道设计允许单个器件保护多条独立信号线，显著节省PCB布局空间并简化电路设计流程。相比使用多个分立TVS二极管的方案，集成式阵列不仅降低了整体成本，还提高了装配效率与可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅回流焊工艺，能够在现代自动化生产线上稳定焊接。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于严苛工业环境下的长期运行。

MRA-6SM常用于各类便携式电子设备和固定式工业装置中的信号线保护。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑上的高速数据接口防护，例如USB端口、音频插孔、摄像头模组连接器以及触摸屏信号线。在通信领域，它可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线节点等场合，防止因电缆感应雷击或电源耦合引起的瞬态损坏。消费类家电中的按键面板、传感器接口也可受益于该器件提供的ESD保护。此外，在汽车电子系统中，尽管MRA-6SM并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键辅助系统（如车载信息娱乐系统的外部接口）中仍可作为经济高效的保护方案使用。工业控制设备中的人机界面（HMI）、PLC数字输入模块、编码器反馈线路同样适用。总之，任何需要对低压、高速信号线进行紧凑型、高性能ESD和浪涌保护的设计均可考虑采用MRA-6SM。

RCLAMP0506Z
　　SP1205-06UTG
　　SRV05-6
　　TPD6S05
　　EMIF05-6U3