MR82C59A/B 时间：2025/5/8 14:56:18 阅读：6

MR82C59A/B 是一种高性能的双列直插式存储器芯片，广泛应用于早期的计算机系统、嵌入式设备以及其他需要扩展存储空间的电子设备中。该芯片属于静态随机存取存储器 (SRAM) 类型，具有高速存取和低功耗的特点。MR82C59A/B 提供了 64K x 8 的存储容量（即 64K 字节），并支持快速的数据读写操作。它采用 NMOS 工艺制造，能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。

参数

存储容量：64K x 8
　　工作电压：+5V ±0.25V
　　存取时间：250ns（典型值）
　　数据保持时间：无限（电源正常时）
　　封装形式：40 引脚 DIP（双列直插式封装）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商用级）
　　-40°C 至 +85°C（工业级）
　　输入输出兼容性：TTL 兼容
　　静态功耗：小于 150mW（典型值）

特性

MR82C59A/B 芯片的主要特性包括高可靠性、快速响应以及较低的功耗。
　　1. 高速存取能力：其典型的存取时间为 250 纳秒，能够满足大多数实时应用的需求。
　　2. 静态存储技术：无需刷新操作即可长时间保存数据，简化了电路设计。
　　3. TTL 输入输出兼容性：方便与各种逻辑器件接口，提高了系统的灵活性。
　　4. 宽工作温度范围：提供商用级和工业级两种版本，适应不同环境需求。
　　5. 双列直插式封装：便于安装和维护，适合手工焊接或自动装配线使用。
　　6. 成本效益高：由于 SRAM 技术成熟，该芯片在市场上具有较高的性价比。

应用

MR82C59A/B 主要用于需要高可靠性和快速存取速度的应用场景中，包括但不限于以下领域：
　　1. 嵌入式系统中的临时数据缓冲区。
　　2. 工业控制设备中的程序和数据存储。
　　3. 通信设备中的数据包缓存。
　　4. 医疗仪器中的关键参数存储。
　　5. 测量仪器中的测量结果记录。
　　6. 计算机外设（如打印机、扫描仪等）中的高速缓存功能。
　　此外，该芯片还适用于一些对成本敏感且不需要大容量存储的应用场合。