MR82C54-10/B 是一款高性能的双列直插式存储器芯片,广泛应用于计算机系统、嵌入式设备以及其他需要高速数据存取的场景。该芯片属于静态随机存取存储器(SRAM)系列,具备低功耗和高可靠性的特点。
MR82C54-10/B 提供了快速的数据读写能力,同时其封装形式和电气特性使其非常适合于需要高频操作的应用场合。
类型:SRAM
容量:64K x 8 bits (512 Kbits)
访问时间:10 ns
电源电压:+5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:44-Pin Plastic DIP (PDIP)
数据宽度:8 bits
地址线数量:16 bits
I/O 引脚数:8
MR82C54-10/B 的主要特性包括以下几点:
1. 高速存取:支持 10 纳秒的典型访问时间,确保系统在高频环境下运行时不会出现性能瓶颈。
2. 可靠性强:采用了先进的制造工艺,保证了在各种复杂环境下的稳定性和可靠性。
3. 低功耗设计:即使在高频工作模式下,依然保持较低的功耗水平,减少散热需求。
4. 易用性强:与大多数微处理器和逻辑电路兼容,便于集成到不同的系统架构中。
5. 广泛的工作温度范围:可以在工业级温度范围内正常工作,适应多种应用场景。
6. 静态存储技术:无需刷新操作,简化了设计并提高了数据完整性。
MR82C54-10/B 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:为实时控制和数据处理提供高速缓存支持。
2. 工业自动化:用于 PLC 控制器或其他需要快速响应的设备。
3. 通信设备:作为缓冲区或临时存储空间,用于网络交换机、路由器等设备。
4. 医疗设备:在医疗成像和其他精密仪器中实现数据暂存功能。
5. 游戏机及多媒体设备:为图像渲染和音频处理提供快速的存储支持。
MR82C54-12/B, MR82C54-15/B