型号：MR8100E
　　封装类型：DIP-8 / SOP-8
　　集成MOSFET耐压：650V
　　最大输出功率：约15W（根据变压器设计）
　　工作电压范围：85VAC ~ 265VAC
　　控制模式：电流模式PWM，准谐振控制
　　开关频率：典型值为66kHz，随负载变化自适应调节
　　启动时间：典型值＜1s
　　待机功耗：＜0.1W @ 230VAC
　　工作效率：＞85%（满载条件下）
　　内置高压启动电路：支持快速启动
　　保护功能：OVP、OLP、UVLO、OTP、LEB
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　引脚数：8

MR8100E的核心特性之一是其准谐振（QR）控制架构，这种控制方式能够在MOSFET漏源电压最低点时进行导通，即实现“谷底开关”，从而大幅降低开通瞬间的电压与电流重叠区域，减少开关损耗，提升整体能效。相比传统的固定频率PWM控制器，QR控制在轻载和中等负载条件下表现出更高的效率，特别适合追求高能效和低待机功耗的应用场景。此外，由于开关动作发生在电压波谷处，dv/dt和di/dt的变化较为平缓，有助于抑制电磁干扰（EMI），简化EMI滤波电路的设计，降低系统成本。
　　另一个关键特性是其高度集成化设计。MR8100E内部集成了650V高压功率MOSFET和高压启动电路，无需外接启动电阻或复杂的启动网络即可实现快速上电启动，缩短了系统启动时间，并提高了可靠性。同时，芯片内部集成了精密基准电压源、误差放大器、PWM比较器、驱动电路及各种保护模块，仅需少量外围元件即可构建完整的反激式（Flyback）电源拓扑，极大简化了电源设计流程，缩短产品开发周期。
　　在保护机制方面，MR8100E提供了多重安全保障。过压保护（OVP）通过检测反馈信号判断输出是否异常升高，防止损坏后级负载；过载保护（OLP）可在输出功率超过设定阈值时自动关闭输出，进入打嗝模式恢复；欠压锁定（UVLO）确保芯片在供电电压未达到正常工作范围时不启动，避免误操作；过温保护（OTP）则实时监测芯片结温，当温度过高时自动切断输出，防止热失控。所有这些保护功能均具备自动恢复或锁存选项，可根据应用需求灵活配置。
　　此外，MR8100E具备优秀的动态响应能力和负载调整率，能够在输入电压波动或负载突变时迅速调节占空比，维持输出电压稳定。其内置前沿消隐电路可有效抑制电流检测信号中的尖峰干扰，防止误触发限流保护，提高系统的抗噪声能力。总体而言，MR8100E以其高集成度、高效率、高可靠性和低成本优势，成为中小功率开关电源设计中的理想选择。

MR8100E主要应用于各类需要高效、小型化AC-DC电源解决方案的场合。典型应用包括手机、平板电脑和其他便携设备的充电器，尤其是5V/1A至5V/2A规格的USB电源适配器。由于其出色的能效表现和低待机功耗，符合能源之星（Energy Star）和欧盟CoC（Code of Conduct）等国际能效标准，因此广泛用于绿色节能电源产品中。
　　在LED照明领域，MR8100E常被用于设计离线式LED驱动电源，特别是家用LED灯泡、筒灯、面板灯等小功率恒压输出灯具。其准谐振控制方式带来的低EMI特性，有助于通过EMI认证测试，如FCC Part 15和CISPR 32标准，减少额外滤波元件的需求，降低BOM成本。
　　此外，该芯片也适用于智能家居设备、路由器、监控摄像头、小家电控制板等嵌入式系统的辅助电源设计。在工业控制和物联网终端设备中，MR8100E可用于构建隔离型DC-DC或AC-DC模块，提供稳定的低压直流供电。由于其工作温度范围宽，可在恶劣环境下稳定运行，因此也适合部署于户外或高温环境中。
　　在设计上，MR8100E支持反激式拓扑结构，尤其适合非连续导通模式（DCM）或临界导通模式（BCM）下的应用。配合合适的变压器设计和外围元件选型，可以轻松实现多路输出或单路恒压/恒流输出方案。工程师可通过调整反馈电阻网络精确设定输出电压，并利用外部电容设置软启动时间，优化系统启动特性。总的来说，MR8100E凭借其广泛的工作电压范围、高集成度和可靠的保护机制，已成为众多消费电子和工业应用中主流的电源管理IC之一。

MP6117, OB2273, TNY278, SG6848