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MR2A16ACMA35 发布时间 时间:2025/7/29 11:21:02 查看 阅读:35

MR2A16ACMA35 是一款由富士通(Fujitsu)制造的16位非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)。该器件结合了类似RAM的高速读写能力与非易失性存储器的特性,可在断电时保留数据。FRAM技术相比传统的EEPROM和Flash存储器,具有更低的功耗、更快的写入速度以及更高的读写耐久性。MR2A16ACMA35采用先进的工艺制造,适用于对数据存储可靠性要求较高的工业和汽车应用。

参数

容量:256K位(16K × 16)
  电压范围:2.7V至3.6V
  访问时间:35ns(最大)
  封装类型:48引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行接口
  功耗:典型工作电流10mA(待机电流<10μA)
  数据保存时间:10年@85°C

特性

MR2A16ACMA35 的核心优势在于其采用的FRAM技术所带来的多项独特特性。首先,其写入速度非常快,支持无延迟写入(NoDelay?写入),不会像EEPROM或Flash那样需要写入等待时间,从而提高了系统的整体性能。其次,FRAM的读写耐久性极高,可达到10^12次读写循环,远高于传统EEPROM(约10^6次)和Flash(约10^5次),因此适用于频繁写入数据的应用场景。
  此外,MR2A16ACMA35的功耗极低,尤其是在待机模式下,电流消耗低于10μA,非常适合低功耗设计。其非易失性存储特性意味着在断电时数据不会丢失,省去了备用电源或频繁刷新数据的需求,提高了系统的可靠性和设计灵活性。
  该芯片还具备高抗干扰能力和宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适合工业自动化、仪器仪表、汽车电子、智能电表、医疗设备等对稳定性要求严苛的环境使用。

应用

MR2A16ACMA35 主要应用于需要高速、高可靠性与低功耗的非易失性存储器场景。典型应用包括工业控制系统中的实时数据记录、汽车电子中的事件日志存储、智能电表的数据保存、医疗设备中的配置信息存储以及自动化测试设备中的临时数据缓存。由于其并行接口的设计,该器件也适用于需要高速数据吞吐量的嵌入式系统和数据采集系统。
  此外,该芯片也常用于需要频繁写入数据的场合,例如数据日志记录器、POS终端、安防系统和网络设备中的状态保存。由于FRAM的高耐久性,它在无法容忍数据丢失或硬件故障的环境中表现尤为突出。

替代型号

FM24CL64B-GTR、MR2A16A-BA35、FRAM MB85RS256A、IS66WV51216FFBLL

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MR2A16ACMA35参数

  • 标准包装348
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型MRAM(磁阻 RAM)
  • 存储容量4M (256K x 16)
  • 速度35ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-LFBGA
  • 供应商设备封装48-FBGA(8x8)
  • 包装托盘
  • 其它名称819-1020