MR2A16ACMA35 时间：2025/7/29 11:21:02 阅读：40

MR2A16ACMA35 是一款由富士通（Fujitsu）制造的16位非易失性铁电随机存取存储器（FRAM）。该器件结合了类似RAM的高速读写能力与非易失性存储器的特性，可在断电时保留数据。FRAM技术相比传统的EEPROM和Flash存储器，具有更低的功耗、更快的写入速度以及更高的读写耐久性。MR2A16ACMA35采用先进的工艺制造，适用于对数据存储可靠性要求较高的工业和汽车应用。

参数

容量：256K位（16K × 16）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　访问时间：35ns（最大）
　　封装类型：48引脚TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：并行接口
　　功耗：典型工作电流10mA（待机电流<10μA）
　　数据保存时间：10年@85°C

特性

MR2A16ACMA35 的核心优势在于其采用的FRAM技术所带来的多项独特特性。首先，其写入速度非常快，支持无延迟写入（NoDelay?写入），不会像EEPROM或Flash那样需要写入等待时间，从而提高了系统的整体性能。其次，FRAM的读写耐久性极高，可达到10^12次读写循环，远高于传统EEPROM（约10^6次）和Flash（约10^5次），因此适用于频繁写入数据的应用场景。
　　此外，MR2A16ACMA35的功耗极低，尤其是在待机模式下，电流消耗低于10μA，非常适合低功耗设计。其非易失性存储特性意味着在断电时数据不会丢失，省去了备用电源或频繁刷新数据的需求，提高了系统的可靠性和设计灵活性。
　　该芯片还具备高抗干扰能力和宽工作温度范围（-40°C至+85°C），适合工业自动化、仪器仪表、汽车电子、智能电表、医疗设备等对稳定性要求严苛的环境使用。

应用

MR2A16ACMA35 主要应用于需要高速、高可靠性与低功耗的非易失性存储器场景。典型应用包括工业控制系统中的实时数据记录、汽车电子中的事件日志存储、智能电表的数据保存、医疗设备中的配置信息存储以及自动化测试设备中的临时数据缓存。由于其并行接口的设计，该器件也适用于需要高速数据吞吐量的嵌入式系统和数据采集系统。
　　此外，该芯片也常用于需要频繁写入数据的场合，例如数据日志记录器、POS终端、安防系统和网络设备中的状态保存。由于FRAM的高耐久性，它在无法容忍数据丢失或硬件故障的环境中表现尤为突出。