MR2A16ACMA35 是一款由富士通(Fujitsu)制造的16位非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)。该器件结合了类似RAM的高速读写能力与非易失性存储器的特性,可在断电时保留数据。FRAM技术相比传统的EEPROM和Flash存储器,具有更低的功耗、更快的写入速度以及更高的读写耐久性。MR2A16ACMA35采用先进的工艺制造,适用于对数据存储可靠性要求较高的工业和汽车应用。
容量:256K位(16K × 16)
电压范围:2.7V至3.6V
访问时间:35ns(最大)
封装类型:48引脚TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
接口类型:并行接口
功耗:典型工作电流10mA(待机电流<10μA)
数据保存时间:10年@85°C
MR2A16ACMA35 的核心优势在于其采用的FRAM技术所带来的多项独特特性。首先,其写入速度非常快,支持无延迟写入(NoDelay?写入),不会像EEPROM或Flash那样需要写入等待时间,从而提高了系统的整体性能。其次,FRAM的读写耐久性极高,可达到10^12次读写循环,远高于传统EEPROM(约10^6次)和Flash(约10^5次),因此适用于频繁写入数据的应用场景。
此外,MR2A16ACMA35的功耗极低,尤其是在待机模式下,电流消耗低于10μA,非常适合低功耗设计。其非易失性存储特性意味着在断电时数据不会丢失,省去了备用电源或频繁刷新数据的需求,提高了系统的可靠性和设计灵活性。
该芯片还具备高抗干扰能力和宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适合工业自动化、仪器仪表、汽车电子、智能电表、医疗设备等对稳定性要求严苛的环境使用。
MR2A16ACMA35 主要应用于需要高速、高可靠性与低功耗的非易失性存储器场景。典型应用包括工业控制系统中的实时数据记录、汽车电子中的事件日志存储、智能电表的数据保存、医疗设备中的配置信息存储以及自动化测试设备中的临时数据缓存。由于其并行接口的设计,该器件也适用于需要高速数据吞吐量的嵌入式系统和数据采集系统。
此外,该芯片也常用于需要频繁写入数据的场合,例如数据日志记录器、POS终端、安防系统和网络设备中的状态保存。由于FRAM的高耐久性,它在无法容忍数据丢失或硬件故障的环境中表现尤为突出。
FM24CL64B-GTR、MR2A16A-BA35、FRAM MB85RS256A、IS66WV51216FFBLL