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MR2502 发布时间 时间:2025/7/16 18:22:58 查看 阅读:8

MR2502 是一款由 Microchip Technology 推出的串行非易失性存储器(NVSRAM)芯片。与传统的EEPROM和Flash存储器不同,NVSRAM在断电时能够快速将数据保存到备用存储介质中,从而提供更高的读写速度和更长的使用寿命。MR2502基于铁电存储技术(FRAM),结合了传统RAM的高速特性和非易失存储器的数据保留能力。

参数

容量:2 Mbit (256 K x 8)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  最大时钟频率:40 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC 和 TSSOP

特性

MR2502 的核心优势在于其基于铁电存储器(FRAM)的技术,使其具有比传统EEPROM和Flash更快的写入速度,并且支持几乎无限次的读写操作。这种存储器在写入过程中不需要预擦除操作,减少了等待时间。
  此外,该器件具备低功耗特性,在高速操作下仍能保持节能模式。MR2502 还内置硬件和软件保护机制,以防止意外写入或擦除数据。它非常适合需要频繁更新数据并要求高可靠性的应用环境。
  另一个重要特性是其卓越的耐用性,MR2502 支持高达10^14次读写循环,显著优于常规的EEPROM(通常为10^5次)。这使得 MR2502 非常适合工业控制、智能电表、医疗设备以及其他对数据记录完整性有严格要求的应用场景。

应用

MR2502 主要用于需要高频次数据写入、高速访问和非易失数据存储的应用领域。例如,工业自动化系统中的实时数据记录、通信设备的日志存储、能源管理系统中的电量计量信息保存等。由于其高可靠性,该器件也广泛应用于航空航天、医疗仪器以及车载电子系统中,用作关键数据的备份存储器。

替代型号

FM25W256-GTR, MB85RS2MT

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MR2502参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)25A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.18V @ 78.5A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳Microde 按钮
  • 供应商设备封装Microde 按钮
  • 包装散装
  • 其它名称MR2502OS