时间：2025/9/3 5:43:06
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MR1376R 是一款由 Melexis 公司生产的微功耗霍尔效应传感器集成电路（IC），主要用于检测磁场的存在和强度。该器件采用 CMOS 技术制造，具有极低的功耗特性，适用于电池供电设备或需要节能的系统。MR1376R 的主要功能是将磁场的变化转换为数字信号输出，通常用于接近检测、位置传感、转速测量等应用。该芯片内部集成了霍尔探头、放大器、偏置发生器和输出驱动器，确保了高灵敏度和稳定的工作性能。MR1376R 采用小型封装，便于在空间受限的设计中使用。
供电电压：2.7V 至 5.5V
工作电流：典型值为 4.5μA（待机电流可低至 0.1μA）
磁灵敏度：典型值为 3.5mT（BOP）
磁释放点：典型值为 1.5mT（BRP）
输出类型：开漏数字输出
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装类型：TSOT（Thin Small Outline Transistor）
MR1376R 霍尔效应传感器具有多项优异的性能特点，首先是其极低的功耗设计，使其非常适合用于便携式设备和低功耗控制系统。在正常工作模式下，其典型电流仅为 4.5μA，而在待机模式下，电流可以进一步降低至 0.1μA，显著延长电池寿命。
其次，MR1376R 采用了先进的 CMOS 工艺，结合内置的偏置发生器和温度补偿技术，确保了在宽温度范围内的稳定性和重复性。该器件的磁灵敏度和磁释放点分别设定在 3.5mT 和 1.5mT 左右，具有良好的磁滞特性，可以有效防止在磁场临界点附近的误触发。
MR1376R 广泛应用于需要低功耗、高灵敏度磁场检测的场合。例如，在电池供电设备中，如智能电表、无线传感器节点和遥控器中，用于检测磁铁接近或位置变化。在汽车领域，MR1376R 可用于车门、后备箱、座椅位置检测等无接触开关应用。此外，它也常用于电机控制系统中，作为转子位置检测的霍尔传感器，适用于无刷直流电机（BLDC）的换向控制。在消费电子领域，MR1376R 也可用于翻盖手机、智能手表、穿戴设备等产品中的磁性检测功能。由于其高可靠性，该器件也适用于工业自动化设备中的接近检测和运动控制。
MLX92231, A1104EUA-T, AH180, DRV5013
