类型：霍尔效应传感器
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输出类型：数字差分输出（Push-Pull）
　　响应频率：最高可达 20kHz
　　磁灵敏度（Bop/Brp）：典型值 ±30 Gauss
　　封装类型：TSOT（Thin Small Outline Transistor）
　　电源电流：典型值 10mA
　　保护功能：过压保护、反向电压保护、短路保护

MR1123R 的核心特性之一是其双极性霍尔效应感应能力，能够检测磁场的极性变化，从而实现对旋转方向的判断。
　　该芯片内置温度补偿电路，能够在宽温度范围内保持稳定的磁灵敏度，确保在不同工作环境下的测量精度。
　　MR1123R 提供差分输出信号，增强了抗干扰能力，适合在电磁噪声较大的工业或汽车环境中使用。
　　其高频率响应能力（最高可达 20kHz）使其适用于高速旋转检测应用，如电机控制、编码器等。
　　芯片集成了多种保护机制，包括过压保护、反向电压保护和输出短路保护，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　采用 TSOT 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中集成。
　　由于其低功耗设计（典型电流为 10mA），MR1123R 也非常适合用于电池供电设备。

MR1123R 主要用于需要检测磁场变化并转化为电信号的场合，尤其是在电机控制系统中应用广泛。
　　在无刷直流电机（BLDC）中，MR1123R 被用来检测转子位置，为控制器提供换向信号，实现高效、平稳的电机运行。
　　可用于编码器系统中，作为方向检测和速度测量的传感器元件。
　　在汽车应用中，MR1123R 可用于车窗升降器、电动座椅、电动门锁等系统的电机控制，提升系统的智能化和安全性。
　　在工业自动化领域，MR1123R 可用于检测机械运动部件的位置和速度，如传送带、伺服电机等设备。
　　此外，它也可用于消费类电子产品，如风扇、电动工具、无人机等设备中，提供精确的控制和反馈机制。

MLX92211, A1210, AH356, DRV5032