MPSW45是一种N沟道功率MOSFET,专为高效率、低损耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电力电子场景,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其出色的性能使其成为众多高效能电路设计的理想选择。
MPSW45在工作电压和电流范围内表现稳定,具备良好的热特性和电气特性,可有效降低系统的整体功耗。
最大漏源电压:45V
连续漏极电流:27A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:18nC
总电容:200pF
工作温度范围:-55℃ to 175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 内置反向恢复二极管,增强抗干扰能力。
4. 强大的散热性能,允许在高温环境下长时间运行。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 提供优异的ESD保护性能,增强可靠性。
MPSW45广泛应用于各类需要高效功率控制的场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子设备中的负载切换
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. LED照明驱动电路
7. 充电器及适配器设计
IRFZ44N
STP36NF06
FDP55N06L