您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MPSW45

MPSW45 发布时间 时间:2025/5/20 10:59:12 查看 阅读:3

MPSW45是一种N沟道功率MOSFET,专为高效率、低损耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电力电子场景,例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其出色的性能使其成为众多高效能电路设计的理想选择。
  MPSW45在工作电压和电流范围内表现稳定,具备良好的热特性和电气特性,可有效降低系统的整体功耗。

参数

最大漏源电压:45V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  总电容:200pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 内置反向恢复二极管,增强抗干扰能力。
  4. 强大的散热性能,允许在高温环境下长时间运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 提供优异的ESD保护性能,增强可靠性。

应用

MPSW45广泛应用于各类需要高效功率控制的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 汽车电子设备中的负载切换
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块
  6. LED照明驱动电路
  7. 充电器及适配器设计

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP55N06L

MPSW45推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MPSW45资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • MPSW45
  • One Watt Darlington Transistors(NPN ...
  • ONSEMI
  • 阅览

MPSW45参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 2mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)25000 @ 200mA,5V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 长体
  • 供应商设备封装TO-92
  • 包装散装
  • 其它名称MPSW45OS