MPS8550D 时间：2025/9/12 10:18:00 阅读：15

MPS8550D 是一款广泛使用的双极型晶体管（BJT），属于PNP型晶体管。该器件由安森美半导体（ON Semiconductor）制造，适用于各种通用放大和开关应用。该晶体管采用SOT-23封装，便于在小型电子设备中使用。MPS8550D 以其高可靠性和稳定的电气性能而闻名，是许多电子设计中的常用元件。

参数

晶体管类型：PNP型双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：25 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MPS8550D晶体管具备多种优异的电气特性和可靠性，使其在通用放大和开关电路中表现卓越。
　　首先，MPS8550D具有较高的电流增益（hFE），其范围在110到800之间，具体取决于器件的等级。这使得它能够在低基极电流条件下驱动较大的集电极电流，非常适合用于放大电路和开关控制。
　　其次，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够满足大多数低功耗电子设备的需求。同时，它能承受的最大集电极-发射极电压为25 V，最大集电极-基极电压为30 V，这使得它在多种电压环境下都能稳定工作。
　　MPS8550D的过渡频率（fT）高达100 MHz，表明它在高频应用中也有良好的性能，适合用于射频放大器和高速开关电路。
　　该器件采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻、安装方便等优点，特别适用于高密度电路板设计。此外，其最大功耗为300 mW，能够在不使用散热片的情况下稳定运行。
　　由于MPS8550D的温度范围为-55°C至+150°C，因此它能够在极端环境条件下工作，适用于工业控制、汽车电子、消费电子等多种应用场景。
　　总的来说，MPS8550D以其高增益、良好的频率响应和稳定性，以及紧凑的封装形式，成为许多电子工程师在通用晶体管选型中的首选。