类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：7.0A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.044Ω（当Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

MPS8050C/D 的主要特性包括其低导通电阻，这使得该 MOSFET 在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，它具有较高的电流承载能力，能够在较高的负载条件下稳定工作。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了良好的热稳定性和可靠性。MPS8050C/D 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于在 PCB 上安装和散热管理。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，适用于多种驱动电路设计。MPS8050C/D 的快速开关特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高响应速度。
　　此外，MPS8050C/D 具备优良的热性能，在高功率工作条件下仍能保持稳定运行，适用于需要长时间高负载工作的工业设备和电源系统。

MPS8050C/D 常用于多种电源管理与功率控制电路中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。该器件也广泛应用于消费类电子产品、通信设备、汽车电子和便携式电源管理系统中。
　　在 DC-DC 转换器中，MPS8050C/D 可作为主开关器件，实现高效的电压转换；在负载开关电路中，可用于控制电源通断，实现节能与保护功能；在电机驱动器中，可作为功率输出级的核心器件，实现电机的正反转控制与调速功能。此外，其良好的抗瞬态能力使其适用于需要频繁开关或存在电压波动的环境。

IRFZ44N, FDPF8050, FDS8858, SI4410DY