您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MPS4250A

MPS4250A 发布时间 时间:2025/7/22 18:54:55 查看 阅读:5

MPS4250A 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)制造的高频、高功率 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件设计用于高频率、高效率的功率放大器应用,尤其适用于射频(RF)和微波通信系统中的放大需求。其主要特点包括低导通电阻、高功率密度以及出色的热稳定性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):50V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.25Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247
  最大工作频率:500MHz
  功率耗散(Ptot):150W

特性

MPS4250A 具有出色的射频性能和高功率处理能力,能够支持高达500MHz的工作频率,非常适合用于射频功率放大器的设计。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下的低功耗,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。
  该 MOSFET 的高栅极驱动电压容限(±20V)使其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态,降低了驱动电路设计的复杂性。同时,其宽工作温度范围允许其在恶劣的环境条件下可靠运行,适用于工业级和军事级应用。
  在射频应用中,MPS4250A 的高增益和低互调失真特性使其成为通信基站、无线基础设施和射频测试设备中功率放大器的理想选择。其设计还支持高效率的 D 类放大器和开关电源应用。

应用

MPS4250A 主要应用于射频功率放大器、高频开关电源、D类音频放大器、工业控制系统、通信设备以及测试与测量仪器。由于其优异的高频特性和高功率处理能力,它在无线通信基础设施、广播系统和雷达系统中也得到了广泛应用。

替代型号

IRFZ44N, STP10NK50Z, IXFH10N50P

MPS4250A推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MPS4250A资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载