MPS4250A 时间：2025/7/22 18:54:55 阅读：7

MPS4250A 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）制造的高频、高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高频率、高效率的功率放大器应用，尤其适用于射频（RF）和微波通信系统中的放大需求。其主要特点包括低导通电阻、高功率密度以及出色的热稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：50V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大工作频率：500MHz
　　功率耗散（Ptot）：150W

特性

MPS4250A 具有出色的射频性能和高功率处理能力，能够支持高达500MHz的工作频率，非常适合用于射频功率放大器的设计。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下的低功耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 的高栅极驱动电压容限（±20V）使其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态，降低了驱动电路设计的复杂性。同时，其宽工作温度范围允许其在恶劣的环境条件下可靠运行，适用于工业级和军事级应用。
　　在射频应用中，MPS4250A 的高增益和低互调失真特性使其成为通信基站、无线基础设施和射频测试设备中功率放大器的理想选择。其设计还支持高效率的 D 类放大器和开关电源应用。