晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据工作点不同）
　　集电极-基极击穿电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极击穿电压（Veb）：5V
　　最大工作温度范围：-55°C至+150°C

MPMT2002CT1晶体管具有多项优异的电气特性，适合高频和低噪声应用。其高截止频率（fT）达到250MHz，使其在射频和中间频率放大器中表现出色。该晶体管的电流增益范围较宽，从100到800不等，具体取决于工作电流和电压条件，这使得它可以在多种电路配置中灵活使用。此外，MPMT2002CT1的低噪声特性也使其成为前置放大器和其他需要高信号完整性的应用的理想选择。
　　该晶体管的封装形式为SOT-23，尺寸小巧，适合高密度电路板设计，并且具有良好的热稳定性和机械强度。MPMT2002CT1的功耗较低，最大功耗为300mW，能够在较高的环境温度下稳定工作。其集电极-发射极电压为30V，集电极电流为100mA，适合中等功率的开关和放大应用。
　　MPMT2002CT1还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于工业级和商业级电子设备。该晶体管符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适合环保要求较高的应用。

MPMT2002CT1晶体管广泛应用于多种高频电子电路中，特别是在射频（RF）和中间频率（IF）放大器中。由于其高截止频率和低噪声特性，常用于通信设备中的信号放大和处理，如无线接收器、发射器和调制解调器。此外，该晶体管也适用于音频放大器中的前置放大级，提供高质量的音频信号放大。
　　在开关电路中，MPMT2002CT1可用于驱动小型继电器、LED和其他低功耗负载，适合需要高频开关的应用。它还可以用于振荡器、混频器和检波器等电路，提供稳定的性能。由于其SOT-23封装形式，MPMT2002CT1也适用于便携式电子设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑和无线传感器网络。
　　此外，该晶体管还可以用于模拟电路中的电流镜、电压调节器和信号处理模块。由于其广泛的工作温度范围和高可靠性，MPMT2002CT1也适用于工业自动化、汽车电子和航空航天等领域的电子控制系统。

BC547, 2N3904, MPS2222