产品系列：MPL2012
　　电感值：1.0μH
　　额定电流（Irms）：1.35A
　　饱和电流（Isat）：1.6A
　　直流电阻（DCR）：90mΩ 典型值
　　自谐振频率（SRF）：≥100MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +155°C
　　封装尺寸：2.0mm x 1.2mm x 1.0mm（L×W×H）
　　端接类型：陶瓷面镀银，兼容SMT
　　屏蔽类型：磁屏蔽结构，低EMI辐射

MPL2012S1R0MDT电感器采用了MPS自主研发的先进磁性材料和多层平面绕组技术，显著提升了高频下的性能表现。其核心优势之一是高度集成的磁屏蔽设计，能够有效抑制外部磁场泄漏，降低对周边敏感电路的干扰，特别适合应用于高密度PCB布局环境中。这种屏蔽结构不仅减少了电磁兼容（EMC）问题，还允许将多个电感并排布置而不会产生明显的互感效应。
　　该器件在磁芯材料选择上优化了磁导率与饱和特性的平衡，在大电流冲击下仍能保持较高的电感稳定性，避免因磁饱和导致的效率下降或系统异常。此外，低至90mΩ的直流电阻大大降低了导通损耗，对于注重能效比的应用场景如移动设备和电池供电系统尤为重要。
　　MPL2012S1R0MDT的工作频率范围宽广，自谐振频率高于100MHz，可在现代高频开关电源（如采用同步整流的降压变换器）中稳定运行。其小型化封装（2.0×1.2×1.0mm）使得它成为超薄电子产品的理想选择，例如智能手机、TWS耳机、智能手表等。同时，该元件经过严格的温度循环和高湿高温老化测试，具备出色的长期可靠性和耐久性。
　　制造工艺方面，采用全自动化卷绕与封装流程，确保批次一致性。端电极采用银层覆盖，增强了焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种装配方式。整体设计兼顾电气性能、机械强度与生产工艺适应性，满足工业级和消费级产品的双重需求。

MPL2012S1R0MDT广泛应用于各类需要高效、小型化电感解决方案的电源系统中。典型使用场景包括便携式消费类电子产品中的DC-DC降压转换器，用于为主处理器、内存、传感器或其他功能模块提供稳定电压。在移动设备中，该电感常被用作输出滤波电感，配合MPQ系列电源芯片实现高效的电源调节。
　　此外，该器件适用于负载点电源（Point-of-Load, POL）架构，尤其是在空间受限但功耗密度高的应用场景，如平板电脑、智能穿戴设备和无线通信模块。在这些系统中，电源效率和热管理至关重要，MPL2012S1R0MDT凭借其低DCR和高饱和电流特性，能够有效减少发热，延长电池续航时间。
　　工业控制领域的小型化传感器节点、IoT终端设备以及RF模块也大量采用此类微型功率电感，以实现紧凑设计和稳定供电。在汽车电子中，虽然非车规级版本不直接用于动力系统，但可用于信息娱乐系统的辅助电源部分。
　　由于其良好的EMI抑制能力，该电感还可用于高速数字电路的电源去耦网络，防止电源噪声影响信号完整性。总体而言，MPL2012S1R0MDT适用于所有要求小体积、高效率、低噪声的便携式电源系统，是现代高集成度电子产品中不可或缺的关键无源元件之一。

MPL2012S1R0MCCT
　　XFL2012-1R0M