时间：2025/9/19 19:02:55
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MPH252012C3R3MT是一款由LGC（LG Innotek）生产的高精度、小尺寸的多层片式电感器，广泛应用于现代便携式电子设备和高频电路中。该器件属于功率电感系列，采用先进的陶瓷基板与金属合金材料制造，具备优良的磁屏蔽性能和低直流电阻特性，适合在高密度PCB布局中使用。其紧凑的外形尺寸为2.5mm x 2.0mm x 1.2mm，符合工业标准的EIA 2520封装规格，便于自动化贴片生产。MPH252012C3R3MT的主要电感值为3.3μH，允许偏差通常为±20%，适用于需要稳定电感响应的DC-DC转换器、电源管理单元和其他对噪声敏感的应用场景。该电感内部结构采用全屏蔽设计，有效抑制电磁干扰（EMI），提升系统整体的电磁兼容性（EMC）。此外，其铁氧体或金属复合材料核心能够在高频工作条件下保持较高的饱和电流和温升电流能力，确保在负载变化时仍能维持稳定的电性能表现。由于采用了无铅制程和符合RoHS指令的环保材料，MPH252012C3R3MT满足当前主流电子产品对绿色环保的要求，适用于消费类电子、通信设备、物联网终端以及汽车电子等领域。
型号：MPH252012C3R3MT
制造商：LGC (LG Innotek)
封装尺寸：2.5mm x 2.0mm x 1.2mm (EIA 2520)
电感值：3.3μH
电感公差：±20%
直流电阻（DCR）：典型值约180mΩ
额定电流（Isat）：约600mA（电感下降30%）
温升电流（Irms）：约700mA（温度升高40℃）
自谐振频率（SRF）：≥30MHz（典型值）
工作温度范围：-40℃ ~ +125℃
存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
屏蔽类型：全磁屏蔽结构
安装方式：表面贴装（SMD）
端子材料：镍/锡镀层
符合标准：RoHS、无卤素
MPH252012C3R3MT具有出色的磁屏蔽性能，其全封闭式磁芯结构能够显著降低外部磁场泄漏，减少对邻近元件的电磁干扰，从而提高整个电路系统的稳定性与可靠性。这种屏蔽设计特别适用于高集成度的移动设备主板、射频模块和高速数字信号处理区域，在这些环境中，电磁兼容性要求极为严格。该电感采用高性能磁性复合材料作为核心介质，不仅实现了较高的磁导率，还具备良好的频率响应特性，使其在几十兆赫兹的工作频率下依然保持较低的损耗和较高的Q值。同时，材料本身的非线性失真小，有助于维持电感在不同电流负载下的线性工作状态，避免因磁饱和导致的效率下降问题。
该器件具备优异的热稳定性和机械强度，能够在宽温度范围内长期稳定运行。其陶瓷基底与金属合金的结合工艺经过优化，确保在多次热循环和振动环境下不会出现开裂或脱层现象，提升了产品的耐久性。此外，MPH252012C3R3MT的低直流电阻设计有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，尤其适用于电池供电设备中的降压型（Buck）或升压型（Boost）DC-DC转换器拓扑结构。在轻载和重载工况下，该电感能够快速响应电流变化，提供稳定的储能与滤波功能，保障输出电压的平稳性。
值得一提的是，MPH252012C3R3MT支持自动光学检测（AOI）和回流焊工艺，适应现代SMT生产线的需求。其端电极采用双层镀镍锡结构，增强了焊接可靠性和抗腐蚀能力，防止潮湿环境下的氧化问题。整体设计兼顾了小型化、高效能与高可靠性，是中等功率电源应用中的理想选择之一。
MPH252012C3R3MT主要应用于各类需要高效能、小体积电感的电源管理电路中。常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的DC-DC转换器模块，用于实现电压调节和能量转换。它也广泛用于无线通信模块、Wi-Fi/BT模组、基站前端电源以及车载信息娱乐系统的电源部分，发挥其低EMI和高稳定性的优势。此外，在工业控制设备、智能传感器节点、物联网网关和嵌入式系统中，该电感可用于为MCU、DSP、FPGA等核心处理器提供干净稳定的供电路径。在LED驱动电路中，MPH252012C3R3MT可用于升压或恒流控制回路，确保光源亮度一致。其高饱和电流特性也使其适用于开关电源（SMPS）的输出滤波环节，有效平滑纹波电流，提升电源品质。由于具备良好的温度特性和抗干扰能力，该器件还可用于汽车电子中的ADAS系统、仪表盘电源模块以及ECU单元中，满足车规级应用的部分需求。
MLZ252012A3R3KT
DLW25SH3R3XK
