时间：2025/8/20 6:06:21
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MPGC01DN-LF-Z 是一款由 Microchip Technology 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）分立器件，主要用于高效率的功率开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具有优异的导通和开关性能，适用于多种电源管理场景。MPGC01DN-LF-Z 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块以及各种电池供电设备中。该器件采用紧凑的封装形式，适合高密度 PCB 设计，同时具备良好的热性能，能够满足高功率密度的设计需求。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：2.5A
最大漏-源电压 (Vds)：30V
最大栅-源电压 (Vgs)：20V
导通电阻 (Rds(on))：300mΩ @ Vgs = 10V
漏极功耗 (Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
MPGC01DN-LF-Z 具有优异的电气性能和可靠性，适用于各种功率开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的高栅极击穿电压（20V）使其在高电压驱动条件下依然能够稳定工作，并具有良好的抗干扰能力。此外，MPGC01DN-LF-Z 采用了 Microchip 先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了导通特性和开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关电源应用。
该器件的封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的电气性能。MPGC01DN-LF-Z 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子等宽温应用环境。由于其优异的性能和可靠性，MPGC01DN-LF-Z 被广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、LED 驱动电路以及各种便携式电子产品中。
MPGC01DN-LF-Z 主要用于各类功率电子设备中，作为高效的功率开关使用。其典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流器、负载开关电路、电源管理系统、电池保护电路、电机驱动器、LED 驱动电路以及各种便携式电子设备的电源控制模块。此外，该器件也常用于工业自动化控制系统、通信设备、智能家电以及汽车电子系统中，作为高效率的开关元件使用。
Si2302DS, FDMS3602, AO3400A, FDN340AN, NTD12N05LT4G
