类型：碳化硅MOSFET模块
　　最大漏极电流：100A
　　最大漏源电压：1200V
　　封装类型：双面散热封装（DBF）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为10mΩ
　　短路耐受能力：600A（10μs）
　　绝缘等级：符合IEC 60146-1标准
　　热阻（Rth）：约0.25K/W

MPFP100R12DBF采用了先进的碳化硅MOSFET技术，具备极低的导通损耗和开关损耗，显著提升了电力电子系统的整体效率。其双面散热封装设计使得模块在高功率应用中具备优异的热管理能力，能够有效降低系统温度，提高可靠性和寿命。此外，该模块具备良好的短路耐受能力，能够在高电流冲击下保持稳定运行。其宽广的工作温度范围使其适用于严苛的工业环境和电动汽车应用。模块的封装设计也优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少外部滤波元件的需求，从而简化系统设计。
　　该模块还集成了高效的热管理方案，具备较低的热阻，使得模块在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。这种特性对于提升系统稳定性和延长使用寿命至关重要。此外，MPFP100R12DBF支持高频开关操作，能够满足现代电力电子系统对高开关频率的需求，从而减小磁性元件的体积，提升系统的功率密度。

MPFP100R12DBF广泛应用于电动汽车的逆变器和车载充电系统，用于提高能量转换效率并减小系统体积。在可再生能源领域，该模块可用于光伏逆变器和储能系统的功率转换模块，提升整体能效和可靠性。在工业电源系统中，它适用于高功率密度的DC-AC逆变器、UPS系统以及电机驱动器。此外，该模块还可用于轨道交通中的牵引变流装置，满足高可靠性和高效率的需求。由于其优异的热管理和电气性能，MPFP100R12DBF也适用于需要高功率密度和高效率的智能电网和能源管理系统。

CMF1000A12E3P2BBM1, FS100R12W1T7_B58