类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.4A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220AB、TO-252AA、TO-92 等

MPF104 MOSFET 具备多项优异特性，适用于多种功率应用环境。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 为 0.95Ω，这使得该器件在中低功率应用中表现出色。此外，MPF104 的最大漏源电压为 60V，使其适用于多种中压电源转换电路。
　　其次，该器件具备较高的热稳定性，封装形式支持良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持稳定运行。MPF104 的栅极驱动电压范围较宽，最大栅源电压为 ±20V，确保其在不同驱动电路中的兼容性与稳定性。
　　另外，MPF104 提供多种封装选项，包括 TO-220AB、TO-252AA 和 TO-92，适用于不同 PCB 布局和散热需求。这使其在工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域中具有广泛的应用前景。
　　最后，MPF104 的制造工艺采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了器件在高频开关条件下的性能稳定，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）以及负载开关等应用。

MPF104 广泛应用于多个领域的功率控制与转换电路中。其典型应用包括开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器、DC-DC 升压或降压转换器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、负载开关电路中的高效能开关元件等。此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED 驱动电源、智能电表、工业自动化控制设备以及汽车电子系统中的功率管理模块。

IRFZ44N, FQP1N60C, 2N7000