时间：2023/7/18 18:26:02
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产品型号 | MPC8241LZQ200D |
描述 | 集成电路MPU MPC82XX 200MHZ 357BGA |
分类 | 集成电路(IC)，嵌入式-微处理器 |
制造商 | 恩智浦半导体 |
系列 | MPC82xx |
打包 | 托盘 |
工作温度 | 0°C?105°C(TA) |
包装/箱 | 357-BBGA |
供应商设备包装 | 357-PBGA(25x25) |
基本零件号 | MPC82 |
MPC8241LZQ200D
制造商包装说明 | 25X25MM，2.52MM高度，1.27MM间距，塑料，BGA-357 |
地址总线宽度 | 32.0 |
位大小 | 32 |
边界扫描 | 是 |
最大时钟频率 | 66.0兆赫 |
外部数据总线宽度 | 64.0 |
格式 | 浮点 |
集成缓存 | 是 |
JESD-30代码 | S-PBGA-B357 |
JESD-609代码 | 00 |
低功耗模式 | 是 |
端子数 | 357 |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装代码 | BGA |
包装形状 | 四方形 |
包装形式 | 网格阵列 |
峰值回流温度(℃) | 260 |
座高 | 2.56毫米 |
速度 | 200.0兆赫 |
电源电压标称 | 1.8伏 |
最小供电电压 | 1.7伏 |
最大电源电压 | 1.9伏 |
表面贴装 | 是 |
技术 | CMOS |
终端完成 | 锡/铅(Sn / Pb) |
终端表格 | 球 |
端子间距 | 1.27毫米 |
终端位置 | 底部 |
时间@峰值回流温度-最大值(秒) | 40 |
长度 | 25.0毫米 |
宽度 | 25.0毫米 |
RoHS状态 | 符合RoHS规定 |
水分敏感性水平(MSL) | 3(168小时) |
高性能超标量处理器内核
16 KB指令缓存
16 KB数据缓存
每个通道64字节的传输队列
中断已完成的段，链和错误
本地到本地内存
PCI到PCI内存
本地到PCI的内存
PCI内存到本地内存
外围逻辑
外围逻辑总线
各种工作频率和总线分频比
32位地址总线，64位数据总线
全内存一致性
存储在外围逻辑总线到PCI写入上的收集
记忆体介面
高达2 GB的SDRAM内存
到SDRAM的高带宽数据总线(32位或64位)
SDRAM的可编程时序
1至8个16、64、128、256或512 Mbit存储设备
用于PCI和处理器访问的写缓冲
正常奇偶校验，读-修改-写(RMW)或ECC
内存接口和处理器之间的数据路径缓冲
低压TTL逻辑(LVTTL)接口
32位PCI接口
最高运行66 MHz
兼容PCI 2.2
PCI 5.0-V公差
PCI锁定的内存访问
访问PCI内存，I / O和配置空间
可选大端或小端运行
PCI读取访问的内存预取
可选的硬件强制一致性
PCI总线仲裁单元(五个请求/授予对)
PCI代理模式功能
可从PCI访问内部配置寄存器
动态电源管理-支持60倍的小睡，打ze和睡眠模式
具有两个入站和出站单元(ATU)的地址转换
用于64位PCI寻址的双地址周期(DAC)(仅限主机)
两通道集成DMA控制器(不支持写入ROM / PortX)
直接模式或链接模式(DMA传输的自动链接)
散点收集-读取或写入不连续的内存
272 MB的基本和扩展ROM / Flash / PortX空间
解耦的地址和数据总线，用于流水线外围逻辑总线访问
动态电源管理-支持60倍的小睡，打ze和睡眠模式
可锁定的L1高速缓存-整个高速缓存或每路最多四种方式中的三种
基本ROM空间用于8位数据路径或与SDRAM数据路径相同的大小(32位或64位)
扩展的ROM空间用于8、16、32位收集数据路径，32或64位(宽)数据路径
整数单元(IU)，浮点单元(FPU)(启用或禁用软件)，加载/存储单元(LSU)，系统寄存器单元(SRU)和分支处理单元(BPU)
PortX：使用ROM控制器接口的8位，16位，32位或64位通用I / O端口，具有可编程的地址选通时序，数据就绪输入信号(DRDY)和4个芯片选择
