类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：35 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：125 V
　　最大功率耗散（Ptot）：350 W
　　频率范围：高达100 MHz
　　封装类型：TO-247
　　热阻（Rth）：0.35°C/W
　　增益（hFE）：典型值为50-150（根据电流条件）

MPC755BRX350LD 具备一系列优异的电气和热性能，适用于高功率和高频应用。其高集电极电流能力（35 A）使其能够在高负载条件下工作，而最大集电极-发射极电压（100 V）和集电极-基极电压（125 V）确保了在高压环境下的稳定性。该晶体管的最大功率耗散为350 W，能够有效处理高功率应用中的热量，避免因过热而导致的性能下降或损坏。
　　此外，MPC755BRX350LD 的频率范围可达100 MHz，适用于需要高频响应的射频和功率放大器应用。其TO-247封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热效率。热阻（Rth）仅为0.35°C/W，进一步增强了该晶体管的热性能，使其能够在较高环境温度下稳定运行。
　　晶体管的增益（hFE）范围为50至150，具体取决于工作电流条件，提供了良好的信号放大能力。这使得MPC755BRX350LD 在工业控制、电源管理和高频放大电路中表现出色。

MPC755BRX350LD 适用于多种高功率和高频应用场景。其主要应用包括射频功率放大器、工业控制系统的功率开关、直流电机驱动器、高频电源转换器以及高频焊接设备等。由于其高电流和高电压承受能力，MPC755BRX350LD 在需要高可靠性和高稳定性的工业设备中尤为常见。
　　在射频领域，MPC755BRX350LD 可用于构建高频放大器，提供稳定的信号放大功能。在电源管理应用中，它可用于构建高效率的DC-DC转换器和功率因数校正电路。此外，该晶体管还可用于高频焊接设备和超声波清洗设备，提供高效的能量传输和控制。
　　由于其优异的热性能和封装设计，MPC755BRX350LD 也适用于需要长时间运行的高功率应用，如大型工业设备和自动化控制系统。

MPC755BRX350LD 的替代型号包括 MJ15003G 和 MJ15024G。这些型号具有类似的电气特性和封装形式，适用于相同的高功率和高频应用场景。