MPC17A85V 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能功率开关应用设计。该器件采用了先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了能效。MPC17A85V 适用于多种功率管理场景,包括电源转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等。该器件采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热性能和可靠性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):17A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):约0.045Ω(典型值,VGS=10V)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
MPC17A85V 具备多项优异特性,使其适用于广泛的功率电子应用。
首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,有助于提高系统的整体效率。在高电流应用中,这种低 RDS(on) 也有助于减少发热,从而提高系统稳定性。
其次,该器件支持高达 17A 的连续漏极电流和 60V 的漏源电压,适用于中高功率开关应用。MPC17A85V 的栅极驱动电压范围较宽(通常支持 4.5V 至 20V),使其兼容多种驱动电路,包括低压逻辑控制器(如微控制器)直接驱动。
此外,MPC17A85V 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热管理能力,能够在较高温度环境下稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适应多种工业和车载环境。
该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力,能够在突发电压或电流冲击下保持稳定运行,提高系统可靠性。同时,MOSFET 自身具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
总体而言,MPC17A85V 凭借其低导通电阻、高电流能力和优异的热性能,成为电源管理、电机控制和电池供电系统中的理想选择。
MPC17A85V 主要应用于以下领域:
1. **电源管理系统**:包括 DC-DC 转换器、负载开关和电池充电电路,适用于笔记本电脑、平板、工业设备和电信设备。
2. **电机控制**:用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路,提供高效的功率开关功能。
3. **汽车电子**:应用于车载充电系统、电动助力转向(EPS)以及车身控制模块(BCM)等场景。
4. **工业控制**:如工业自动化设备中的继电器替代、固态开关和高功率 LED 驱动器。
5. **消费电子产品**:例如电源适配器、移动电源、智能家电等需要高效能功率开关的设备。
IRFZ44N, FDPF17N60FS, Si4410DY, IPD17N60C5, FQP17N60