类型：双通道栅极驱动器
　　通道数量：2
　　封装类型：QFN
　　最大工作电压：600V（HS侧）
　　输入电源电压范围：10V至20V
　　输出电流能力：高端1.5A/低端2A，低端1.5A/高端2A
　　传输延迟：典型值85ns
　　上升时间：典型值20ns
　　下降时间：典型值18ns
　　工作温度范围：-40°C至125°C
　　驱动能力：适用于MOSFET和IGBT

MP6518GFZ具备多种高性能特性，使其适用于高效率和高频率的功率转换应用。其高端侧能够承受高达600V的电压，适用于高电压功率转换电路，同时具备出色的抗dv/dt干扰能力，从而提高了系统的稳定性和可靠性。
　　该器件采用自举供电方式，适用于高端和低端的MOSFET驱动。其高端和低端的输出驱动电流分别为1.5A和2A，能够有效降低开关损耗，提高转换效率。此外，MP6518GFZ具有较短的传输延迟（典型值85ns）和快速的上升/下降时间（分别约为20ns和18ns），有助于实现高频开关操作，适用于高功率密度的设计。
　　MP6518GFZ还内置欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于设定阈值时，驱动输出将被禁用，以防止功率器件在非理想条件下工作。其封装形式为QFN，有助于提高热性能和空间利用率，适用于紧凑型电源模块设计。
　　在工业应用中，MP6518GFZ具备良好的抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持稳定工作。其广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动、UPS系统以及新能源电力电子设备中。

MP6518GFZ广泛应用于需要高效、高频驱动能力的功率转换系统。典型应用包括半桥和全桥DC-DC转换器、LLC谐振转换器、推挽式变换器、电机驱动系统、工业自动化设备电源、服务器电源、通信电源、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等。
　　由于其高耐压能力和快速响应特性，MP6518GFZ特别适合用于高功率密度的电源模块设计，如电动汽车充电模块、储能系统和高频开关电源。在这些应用中，该器件能够提供稳定的驱动能力，减少开关损耗，提高整体能效。
　　此外，MP6518GFZ也可用于IGBT驱动，适用于中高功率的逆变器和变频器系统，如工业变频调速、空调压缩机控制等场景。其QFN封装形式有助于优化PCB布局，提高散热性能，适用于要求紧凑设计和高可靠性的应用环境。

Si8235BBC-C-ISR, IRS2001S, LM5114-Q1EVM-HD