MP6513GJ-Z 时间：2025/8/20 6:51:03 阅读：3

MP6513GJ-Z是一款由Monolithic Power Systems（MPS）推出的高性能、双通道、低边MOSFET驱动器芯片。该器件专为需要高效率和高集成度的应用而设计，适用于驱动N沟道MOSFET，广泛用于电机控制、电源转换、DC-DC变换器、H桥驱动以及工业自动化系统中。MP6513GJ-Z采用先进的工艺制造，具备高驱动能力和良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。

参数

工作电压范围：4.5V 至 20V
　　输出驱动电流（峰值）：每通道1.2A（典型值）
　　输入逻辑兼容性：3.3V/5V逻辑电平兼容
　　传播延迟时间：典型值为12ns
　　上升/下降时间：典型值为8ns/6ns（与负载相关）
　　静态电流：典型值为100μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：TSSOP-16

特性

MP6513GJ-Z具备多项高性能特性，能够满足多种应用场景的需求。首先，其宽工作电压范围（4.5V至20V）使其适用于多种电源架构，包括电池供电系统和标准工业电源。该器件采用双通道结构，每个通道均可独立控制，提供灵活的驱动方式。其高驱动电流能力（峰值1.2A）可有效减少MOSFET的开关损耗，提高系统效率。
　　此外，MP6513GJ-Z具有极低的传播延迟（典型值12ns）和快速的上升/下降时间，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。其低静态电流设计有助于在待机或轻载状态下降低功耗，提高系统能效。
　　该芯片内置的欠压保护（UVLO）功能可在电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET工作在非安全区域。同时，其热关断保护功能可防止芯片因过热而损坏，提升系统的可靠性和稳定性。
　　MP6513GJ-Z采用TSSOP-16封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型PCB设计。

应用

MP6513GJ-Z广泛应用于需要高效、高频率MOSFET驱动的各类电子系统中。主要应用领域包括：电机控制（如直流电机、步进电机）、H桥驱动电路、DC-DC降压/升压变换器、同步整流器、电源管理系统、工业自动化控制设备以及电池供电系统等。
　　由于其优异的动态响应和驱动能力，MP6513GJ-Z特别适合用于高频开关电源设计，如多相VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源系统。此外，该器件的高集成度和保护功能使其成为电动汽车、工业伺服系统和智能功率模块中的理想选择。