类型：栅极驱动器
　　配置：半桥（High-Side + Low-Side）
　　电源电压范围：5V ~ 20V
　　输出电流：高边/低边均为1.5A（典型值）
　　传播延迟：典型值为95ns
　　上升/下降时间：典型值为15ns（18V电源）
　　工作温度范围：-40°C ~ 125°C
　　封装形式：DFN-10（3mm x 3mm）

MP650DL具备一系列先进的特性，使其适用于高性能电源转换应用。
　　首先，其内置的高边和低边驱动器可同时驱动两个N沟道MOSFET，简化了外部电路设计。该芯片支持高达20V的电源电压，适用于多种功率应用环境。
　　其次，MP650DL具有较短的传播延迟（典型值95ns）和快速的上升/下降时间（典型值15ns），有助于提高开关效率并减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　此外，该器件集成了多种保护功能，如欠压锁定（UVLO）和交叉导通保护，防止因电源电压不稳定或控制信号异常而导致的损坏。其高边驱动器采用自举供电方式，减少了对外部电源的需求。
　　MP650DL采用DFN-10（3mm x 3mm）小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电源模块和电机控制器中使用。
　　由于其高集成度和优良的性能，MP650DL广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及工业自动化系统中。

MP650DL主要用于需要高效率、高频开关和紧凑布局的功率电子系统中。典型应用包括同步降压和升压转换器、隔离式DC-DC电源模块、电动工具和无人机电机驱动器、以及工业自动化和机器人控制系统中的功率级驱动。此外，它也适用于基于LLC或谐振变换器的电源设计，作为半桥结构的MOSFET驱动解决方案。

Si8235BB-D-ISR, IRS2104S, LM5101B