MP252W是一款由美国Microsemi公司(现为Microchip子公司)推出的高可靠性、高性能的MOSFET功率晶体管,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有优异的导通性能和热稳定性,适用于需要高效能和高稳定性的工业及通信设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):30A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值6.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247
MP252W具备低导通电阻的特点,这使得它在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。
其高耐压能力(100V)使其适用于多种高压电源设计场景,包括DC/DC转换器、电机驱动电路以及负载开关等。
此外,该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行,同时满足工业级温度要求。
MP252W还具备快速开关特性,降低了开关损耗,有助于提升系统的工作频率与响应速度。
由于其可靠的设计和出色的电气性能,MP252W广泛用于通信设备、服务器电源、UPS系统以及其他需要高效率功率管理的应用中。
MP252W主要应用于电力电子领域中的各种功率转换系统,如开关电源(SMPS)、DC/DC变换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)以及电机控制模块。
在工业自动化设备中,该器件可用于构建高效率的功率输出单元;而在通信基础设施中,则常见于基站电源模块或光网络设备的供电系统。
此外,MP252W还可作为高侧或低侧开关使用,在负载切换和保护电路中发挥关键作用。
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"IRF1405",
"SiHHK100N10LS",
"FDMS86180"
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