MP175GS-Z 时间：2025/4/28 19:03:39 阅读：2

MP175GS-Z 是一款高性能的功率MOSFET，采用先进的沟槽式技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为SOT-23，具备良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在空间受限的应用中使用。
　　MP175GS-Z 的设计重点在于优化效率和减少功率损耗，因此在高频率工作条件下表现尤为出色。它支持宽范围的工作电压，并且具有优异的热稳定性和抗静电能力（ESD保护），从而提升了整体系统的可靠性。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源极电压Vds：30V
　　最大栅源极电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：1.9A
　　导通电阻Rds(on)：65mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总栅极电荷Qg：4nC（典型值）
　　输入电容Ciss：28pF（典型值）
　　输出电容Coss：2.8pF（典型值）
　　反向恢复时间trr：17ns（典型值）
　　工作结温范围Tj：-55℃至+150℃
　　封装：SOT-23

特性

1. 低导通电阻：65mΩ（典型值），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。
　　2. 快速开关性能：总栅极电荷低至4nC，反向恢复时间短至17ns，适合高频开关应用。
　　3. 高效散热：采用SOT-23小型封装，同时保持良好的散热性能。
　　4. 宽工作电压范围：支持高达30V的漏源极电压，适用于多种电源管理场景。
　　5. 静电防护：具备增强的ESD保护能力，提高产品稳定性。
　　6. 紧凑设计：体积小巧，适合空间受限的设计需求。
　　7. 高可靠性：经过严格测试，确保在极端温度条件下的稳定运行。