MP163CGS-5-Z 时间：2025/8/20 0:02:15 阅读：21

MP163CGS-5-Z 是一款由美国Microsemi公司（现为Microchip子公司）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件。该器件采用先进的功率MOS技术，具备高效率、低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高效能功率转换的各类电源系统中。MP163CGS-5-Z属于增强型N沟道MOSFET，封装形式为TO-220AB，适用于工业控制、电源管理、电机驱动等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

MP163CGS-5-Z 具备多项优异的电气和热性能特点，适用于高功率和高可靠性应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）为0.085Ω，在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的封装技术，具备良好的散热能力，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，MP163CGS-5-Z 的最大漏源电压为100V，最大漏极电流可达16A，适用于多种中高功率电源应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统。其栅极电压范围为-20V至+20V，提供了良好的驱动兼容性，支持标准MOSFET驱动电路的应用。

应用

MP163CGS-5-Z 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适用于需要高效能功率转换和稳定性的场合。例如，在工业自动化系统中，该MOSFET可作为电机驱动器或电源管理模块中的开关元件，实现高效、稳定的电流控制。在DC-DC转换器和开关电源（SMPS）中，MP163CGS-5-Z 凭借其低导通电阻和高电流承载能力，有助于提高转换效率并降低热量损耗。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统中，如车载充电器、电动工具和照明系统等。其宽工作温度范围和高可靠性使其在汽车和工业环境中表现出色，满足严苛的应用需求。