MP150GJ-Z 时间：2025/8/20 7:04:53 阅读：4

MP150GJ-Z 是一款由美国 Microchip Technology 公司制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优良的热性能。MP150GJ-Z 封装形式为 TO-247，适用于各种工业电源、电机控制、DC-DC 转换器和电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：150A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.7mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

MP150GJ-Z MOSFET 采用先进的沟槽式结构技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于大功率应用场景。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
　　该MOSFET的封装设计有助于提高散热性能，TO-247 封装提供了良好的电气隔离和机械强度，便于安装和散热器连接。MP150GJ-Z 还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流应用。
　　此外，MP150GJ-Z 的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至15V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲条件下的可靠性。

应用

MP150GJ-Z 主要用于需要高效率、高电流和高频开关性能的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种高功率负载开关电路。
　　在电机控制应用中，MP150GJ-Z 可用于H桥电路中，实现高效、可靠的电机方向控制和制动功能。在电源管理系统中，该MOSFET可用于同步整流、负载切换和功率因数校正（PFC）电路中，提高整体能效。
　　由于其优异的热性能和可靠性，MP150GJ-Z 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和能量回收系统。