时间：2025/8/19 10:58:31
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MP100KS是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高耐压应用设计。该器件适用于多种电力电子设备，如电源转换器、电机控制器和高电压系统。MP100KS的主要特点包括低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力，使其能够在严苛的电气环境中稳定运行。该器件通常采用TO-220或TO-263等封装形式，以满足不同应用的散热需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：1000V
漏极-栅极击穿电压（Vdg）：1000V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：8A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：约1.0Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220、TO-263（具体取决于制造商）
MP100KS MOSFET的核心特性是其高耐压能力，漏极-源极击穿电压高达1000V，使其适用于高压应用场景。同时，该器件的导通电阻较低，通常约为1.0Ω，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。此外，MP100KS能够承受较高的连续漏极电流，在25℃环境下可达8A，适合需要较高电流输出的电源系统。该器件的栅极-源极电压范围为±30V，提供了较好的栅极控制灵活性。
另一个重要特性是其宽工作温度范围，从-55℃到+150℃，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作。MP100KS通常采用TO-220或TO-263封装，这些封装形式具备良好的热管理和机械稳定性，适合高功率应用。此外，该MOSFET的结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中也能表现出色。
MP100KS广泛应用于高压电源系统，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制器和逆变器。在这些应用中，MP100KS的高耐压能力和低导通电阻使其成为理想的功率开关器件。此外，它还常用于工业自动化设备、电信基础设施和消费类电子产品中的高压直流-直流转换器。在太阳能逆变器和电动车充电系统中，MP100KS也因其高可靠性和优异的热性能而被采用。
MP100KSA, FQA10N100, FQA8N100, STF10N100, STF8N100
