时间：2025/5/10 9:52:50
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MOT50P06D是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够满足多种功率应用需求。
这款MOSFET具有优秀的开关特性和较低的导通损耗，适用于需要高效能转换的电路设计。同时，它还具备快速的开关速度，能够减少开关损耗并提升整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：79nC
总功耗：135W
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 高电流承载能力，可支持高达50A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻（4.5mΩ），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关特性，适合高频开关应用。
4. 良好的热性能表现，允许在较宽的温度范围内稳定工作。
5. 采用标准TO-220封装，便于安装与散热设计。
6. 具备出色的抗雪崩能力和鲁棒性，能够在严苛环境下可靠运行。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. DC-DC转换器中的功率开关。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
6. 各类功率变换电路中的关键元件。
IRFZ44N
FDP5020
STP50NF06L
