电容值：100nF (0.1μF)
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R (±15%, -55°C 至 +125°C)
　　封装尺寸：6030（公制1608）
　　电介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降（典型X7R行为）
　　ESR（等效串联电阻）：低，具体值依赖于频率和测试条件
　　安装类型：表面贴装（SMD）

MOS6020-104MLD 多层陶瓷电容器具有优异的电气性能和稳定的温度响应特性，适用于多种严苛环境下的电子系统应用。其采用X7R类电介质材料，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，这使其在工业级和汽车电子中具备较高的适应性。相比Y5V等其他II类陶瓷介质，X7R在温度稳定性方面表现更佳，虽然其电容值仍会受到直流偏置电压的影响，但在大多数去耦和滤波应用中仍能提供可靠的性能支持。
　　该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内部电极实现高电容密度，在紧凑的6030（即1608公制尺寸）封装内实现了100nF的电容容量，有助于节省PCB空间并提升布板效率。其表面贴装形式便于自动化贴片生产，符合现代SMT工艺要求，提高了制造的一致性和良率。此外，该电容具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），在高频下表现出良好的阻抗特性，因此非常适合用作开关电源输出端的去耦电容或IC电源引脚的旁路元件，有效抑制高频噪声和电压波动。
　　在长期可靠性方面，MOS6020-104MLD 经过严格的制造工艺控制，具备良好的抗湿性、耐热循环能力和机械强度，能够承受回流焊过程中的高温冲击而不损坏。尽管其容差为±20%，略低于精密C0G/NP0类电容，但对于非关键性的滤波和耦合应用而言完全可接受。值得注意的是，用户在使用时应参考制造商提供的直流偏压曲线，合理评估在实际工作电压下的有效电容值衰减情况，以确保电路性能稳定。

MOS6020-104MLD 主要应用于需要中等电容值且对温度稳定性有一定要求的电子电路中。常见用途包括电源管理单元中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压纹波并减少电磁干扰；在数字集成电路（如MCU、FPGA、ASIC）的供电引脚附近作为去耦电容，吸收瞬态电流变化引起的噪声，维持电源完整性；此外，它也广泛用于DC-DC转换器、LDO稳压器周围，配合电感构成LC滤波网络，提升输出电压的纯净度。
　　在通信设备中，该电容可用于信号路径的交流耦合，隔离直流分量同时允许高频信号通过，适用于射频前端模块、接口电路（如USB、Ethernet PHY）等场合。由于其具备一定的耐压能力（50V），也可用于低压模拟电路中的滤波和储能功能，例如音频放大器的偏置电路或传感器信号调理模块。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器中，MOS6020-104MLD 因其小尺寸和高可靠性成为常用被动元件之一。同样，在工业控制系统、车载电子模块（非安全关键部分）、医疗仪器等领域也有广泛应用。对于要求较高可靠性和批量生产的应用场景，该型号凭借其标准化参数和成熟的供应链体系，成为工程师选型中的常见选择。

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　　 "GRM188R71H104KA01D",
　　 "CL10A104KA8NPNC",
　　 "C1608X7R1H104K",
　　 "ECJ-1VC1H104Z"
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