类型：N沟道增强型MOSFET
　　频率范围：最高可达12 GHz
　　漏极电流（ID）：最大150 mA
　　漏极-源极电压（VDS）：28 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：陶瓷双列直插封装（DIP）
　　增益：典型值14 dB@2 GHz
　　噪声系数：典型值0.55 dB@2 GHz

MOS-975-119+ 拥有卓越的高频性能，可在高达12 GHz的频率下运行，适用于微波频段的应用。其陶瓷封装提供了优异的热管理和机械稳定性，能够在高温和高功率条件下保持稳定的性能。该MOSFET具有低噪声系数，非常适合低噪声放大器（LNA）的设计，特别是在无线通信系统中。此外，MOS-975-119+ 在2 GHz频率下可提供14 dB的典型增益，确保了信号的高效放大。其高输入阻抗特性使得匹配电路设计更加简便，从而优化整体电路性能。由于其优异的线性度和稳定性，MOS-975-119+ 在需要高保真信号放大的场合表现出色。
　　这款晶体管的另一个显著特点是其宽温度工作范围，从-65°C到+150°C，确保其在极端环境条件下仍能正常工作。这对于航空航天、军事通信和工业控制等严苛环境下的应用尤为重要。此外，MOS-975-119+ 的封装设计有助于减少寄生电容和电感，从而提升高频响应和信号完整性。其高可靠性和长寿命使其成为许多高要求应用的理想选择。

MOS-975-119+ 主要用于高频和微波电子系统中，特别是在需要低噪声、高增益放大的场合。典型应用包括无线通信基站、微波接收器、卫星通信设备、雷达系统和测试测量仪器。在无线通信领域，MOS-975-119+ 常用于低噪声放大器（LNA）的设计，以提升接收灵敏度并减少信号干扰。在测试设备中，该晶体管可用于构建高精度信号放大模块，确保测试结果的准确性。此外，由于其良好的温度稳定性和高频性能，MOS-975-119+ 也广泛应用于航空航天和军事电子系统，例如战术通信设备和雷达前端模块。在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于高频信号处理和远程数据传输，提升系统响应速度和可靠性。

MOS-975-119+ 的替代型号包括MOS-975-119和类似的高频MOSFET晶体管如NEC的NE856332和Avago Technologies的ATF-54143。