类型：N沟道MOSFET
　　工作频率：500MHz
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏-源电压（VDS）：65V
　　栅-源电压（VGS）：±20V
　　输出功率：125W（典型值）
　　增益：14dB（典型值）
　　效率：65%（典型值）
　　封装形式：TO-247

MOS-114+ 是一款高性能射频MOSFET晶体管，具备出色的功率处理能力和高频率响应特性。该器件在高频操作下依然能够保持稳定的性能，适用于500MHz左右的工作频率范围。其高漏极电流能力（15A）和65V的漏-源电压额定值，使其在高功率应用中表现优异。MOS-114+ 的输出功率可达125W，增益为14dB，效率达到65%，在射频放大器设计中能够提供高效且稳定的功率输出。
　　该晶体管采用了硅MOSFET工艺，具备良好的线性度和较低的互调失真，适用于需要高质量信号放大的系统。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种射频电路中。MOS-114+ 还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在严苛的工作环境中使用。
　　此外，MOS-114+ 在设计上优化了射频性能，能够在高功率密度下保持良好的效率和可靠性。其高栅极驱动能力和较低的输入电容使其易于驱动，并能够快速响应信号变化，适用于需要高频切换和高稳定性的应用。

MOS-114+ 广泛应用于射频功率放大器的设计中，特别是在500MHz频段的通信系统中表现出色。它可用于基站、射频测试设备、工业加热系统以及等离子体发生器等高功率射频设备。由于其高效率和良好的线性度，MOS-114+ 也常用于广播发射机和无线基础设施设备中，提供高稳定性和高可靠性的功率放大解决方案。此外，该晶体管还可用于射频能量应用，如医疗设备和材料处理系统中的射频功率源。

MRF151G, RD16HHF1