MOC211R1是一款由ON Semiconductor生产的光耦合器(光隔离器),主要用于将输入信号与输出电路之间进行电气隔离。该器件由一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管(LED)和一个硅基光电晶体管组成,能够实现高效的电光电信号传输。MOC211R1采用6引脚DIP封装,广泛应用于工业控制、电源管理、继电器驱动、电机控制以及通信设备等领域。
类型:光耦合器(光电晶体管输出)
隔离电压:5300 Vrms
正向电流(IF):60 mA
集电极-发射极电压(VCE):30 V
功耗(PD):100 mW
响应时间:10 μs(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:6-DIP
MOC211R1的核心特性之一是其高隔离电压,达到5300 Vrms,这使得该器件非常适合用于需要高电气安全性的应用,如电源开关、工业自动化系统以及医疗设备中的信号隔离。其光电晶体管输出结构可以提供良好的线性响应,适合用于模拟信号的隔离传输。此外,该器件的正向电流额定值为60 mA,能够在低功耗条件下保持稳定的信号传输性能。
该光耦合器的响应时间较短,典型值为10 μs,能够满足中高速信号传输的需求。MOC211R1的集电极-发射极电压为30 V,允许在较宽的电压范围内工作,适用于多种直流和交流控制电路。器件的工作温度范围为-55°C至+125°C,具有良好的热稳定性和环境适应能力。
封装方面,MOC211R1采用标准的6引脚DIP封装,便于在印刷电路板(PCB)上的安装和焊接。该封装形式也便于进行自动化生产和测试。此外,MOC211R1的功耗仅为100 mW,适用于对功耗有严格要求的应用场景。
MOC211R1广泛应用于工业控制和自动化系统中,用于将控制信号与高压电路进行隔离,从而保护控制端设备免受高电压或大电流的损害。在电源管理系统中,该光耦可用于反馈控制信号的隔离,确保系统在高电压环境下稳定运行。此外,MOC211R1也常用于继电器驱动电路中,作为固态继电器的控制信号隔离器件。
在电机控制和变频器中,MOC211R1可用于隔离控制信号与功率器件(如MOSFET或IGBT),以防止干扰和电压尖峰对控制系统的影响。该器件也适用于通信设备中的接口隔离,以提高系统的可靠性和抗干扰能力。医疗设备、测试仪器以及家用电器中也常使用MOC211R1来实现信号隔离和电气安全防护。
MOC210M, MOC211M, PC817, TLP521