时间:2025/12/28 20:58:01
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MNU18-187F 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用,具备较低的导通电阻和良好的热稳定性。MNU18-187F采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了卓越的性能和可靠性,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):180V
连续漏极电流(Id):18A(在Tc=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):0.075Ω(最大值,在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):38nC(典型值)
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C至175°C
MNU18-187F具备多项优异特性,包括低导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于中高功率的应用,例如电源供应器、DC-DC转换器和电池管理系统。该MOSFET还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,确保系统的长期可靠性。
此外,MNU18-187F的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高高频应用中的性能。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能,并且便于安装和焊接,适合多种工业和消费类电子设备使用。
该器件符合RoHS环保标准,采用无铅封装,适用于环保要求较高的设计。同时,MNU18-187F具有较高的雪崩能量承受能力,能够在突发的电压冲击下保持稳定工作,提高系统的安全性和可靠性。
MNU18-187F广泛应用于多种功率电子设备中,包括但不限于:
? DC-DC转换器:用于提高转换效率和功率密度,适用于工业电源、通信设备和服务器电源系统。
? 电机驱动器:适用于电动工具、机器人和工业自动化设备中的电机控制电路。
? 电池管理系统(BMS):用于新能源汽车、储能系统和便携式设备中的电池充放电控制。
? 负载开关:在电源管理和负载切换应用中提供高效、可靠的开关功能。
? 电源管理模块:用于各种消费类电子产品和工业设备的电源系统中,实现高效的功率分配和管理。
STD18N180K5 TO-220FP
STP18N180K5 TO-220FP
IPB18N180CFD7S TO-220
FDMS86180 DSQ