类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：10A
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　内部结构：半桥式结构（Half-Bridge）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　最大耗散功率：100W
　　短路耐受能力：5μs
　　隔离电压：2500Vrms
　　热阻（RthJC）：1.0°C/W
　　芯片技术：沟道型IGBT芯片与快速恢复二极管芯片集成

MNG10-8FK IGBT模块具备多项优良的电气和热性能。其1200V的集电极-发射极电压额定值使其适用于中高压功率变换系统，而10A的额定集电极电流则确保其在中等功率应用中的稳定性。该模块采用半桥结构设计，包含两个IGBT开关单元和相应的反向并联二极管，便于构建如H桥逆变器或双开关拓扑结构。
　　该模块的封装设计提供了良好的电气隔离和散热性能，隔离电压高达2500Vrms，确保了在高压环境中的安全运行。此外，其热阻（RthJC）为1.0°C/W，表明其具有较高的热传导效率，有助于延长模块的使用寿命。
　　在工作温度范围上，MNG10-8FK支持从-40°C到+150°C的宽温域操作，适应各种恶劣工业环境。其短路耐受能力为5μs，表明在发生短路故障时，模块具有一定的自我保护能力，能够为系统提供短暂的容错时间，防止立即损坏。
　　该模块的内部IGBT芯片采用沟道型设计，具备较低的导通压降和开关损耗，提高了整体系统的能效。而快速恢复二极管则减少了反向恢复时间，降低了开关过程中的能量损耗，提高了系统的工作频率和响应速度。

MNG10-8FK IGBT模块广泛应用于多种中高功率电子系统中，如工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电机控制设备。由于其具备良好的电气性能和较高的可靠性，该模块特别适合用于需要高效能、紧凑结构和高稳定性的工业自动化和电力电子系统。此外，该模块也常用于测试设备、电力调节器和电能质量改善装置中。

SKM10GB12T4AG