MNA-7 时间：2025/12/28 12:26:24 阅读：16

MNA-7 是一款由 Broadcom（原安华高）推出的 GaAs（砷化镓）微波场效应晶体管（MESFET），广泛用于射频（RF）和微波频率范围内的低噪声放大器（LNA）应用。该器件在高频下具有出色的噪声性能和高增益特性，适用于通信系统、测试设备、无线基础设施和军事电子等领域。MNA-7 采用 SOT-135 封装，是一种高可靠性的分立晶体管，适合在 1 GHz 以上的频率下工作。

参数

工艺类型：GaAs MESFET
　　封装类型：SOT-135
　　频率范围：1 GHz - 12 GHz
　　噪声系数（NF）：0.6 dB @ 4 GHz
　　增益：17 dB @ 4 GHz
　　工作电压：10 V
　　静态工作电流：30 mA
　　输出功率：100 mW @ 4 GHz
　　输入/输出阻抗：50 欧姆
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

MNA-7 的核心优势在于其优异的低噪声性能和高增益特性，使其成为低噪声放大器设计中的理想选择。在 4 GHz 工作频率下，其噪声系数仅为 0.6 dB，同时提供高达 17 dB 的增益，这使得该晶体管能够有效提升微弱信号的强度，而不会引入过多噪声。此外，MNA-7 具有良好的线性度和稳定性，能够在较宽的频率范围内（1 GHz 至 12 GHz）保持稳定性能。其 SOT-135 小型封装便于在高密度电路板上布局，同时具备良好的热稳定性和机械强度。
　　该器件的静态工作电流为 30 mA，工作电压为 10 V，这种直流工作点设计使其在功耗与性能之间取得良好平衡。由于其输入/输出阻抗为 50 欧姆，MNA-7 可以直接集成到大多数射频系统中，无需额外的匹配网络，从而简化了电路设计。此外，MNA-7 在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内都能保持稳定运行，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如航空航天和军事通信设备。

应用

MNA-7 主要用于需要高性能低噪声放大的射频和微波系统中。典型应用包括无线通信基础设施中的低噪声前置放大器、微波接收机、卫星通信系统、雷达前端、测试与测量设备（如频谱分析仪和信号发生器）以及军事和航空航天电子系统。由于其在高频下优异的噪声性能和增益表现，MNA-7 也常被用于科研和高精度测量仪器中，以确保微弱信号能够被有效放大而不被噪声淹没。此外，在需要高稳定性和高可靠性的应用场景中，如远程通信和卫星地面站，MNA-7 也表现出色。