产品类型：共模扼流圈
　　封装尺寸：2012（2.0mm x 1.25mm）
　　高度：1.0mm max
　　阻抗（典型值）：150Ω @ 100MHz
　　直流电阻（DCR）：0.35Ω（最大值）
　　额定电流：100mA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　端电极材质：Ni/Sn镀层
　　磁芯材料：铁氧体基材
　　屏蔽类型：无屏蔽（开放式磁路）
　　安装方式：表面贴装（SMT）

MMZ2012R150AT具备优异的共模噪声抑制能力，其核心特性在于能够在高频范围内提供稳定的高阻抗，从而有效衰减共模干扰信号。该器件在100MHz频率下可提供约150Ω的共模阻抗，适用于USB、HDMI、LVDS、MIPI等高速数字接口的EMI滤波需求。其低差分模式插入损耗保证了有用信号的完整性不受影响，特别适合用于移动通信设备如智能手机、平板电脑以及可穿戴设备中的显示和摄像头模块连接线路。
　　该元件采用多层陶瓷共烧技术，实现了小型化与高性能的结合。内部绕组采用对称双线结构，增强了磁通抵消效果，提升了共模抑制比（CMRR）。此外，其较低的直流电阻（最大0.35Ω）有助于减少功率损耗和温升，在长时间运行中保持稳定性能。由于其结构紧凑且重量轻，MMZ2012R150AT非常适合自动化贴片生产流程，具有良好的焊接可靠性和机械强度。
　　另一个关键优势是其宽频带噪声抑制能力，能够覆盖从数十MHz到数GHz的电磁干扰频段，适应现代电子系统日益复杂的电磁环境。它还具备较强的抗振动和耐湿性，能够在恶劣环境下维持长期可靠性。对于需要满足CISPR、FCC等电磁兼容标准的产品而言，该器件是一个理想的解决方案。同时，其非屏蔽设计降低了整体成本，同时仍能提供足够的磁场隔离性能，避免对邻近元件造成干扰。

MMZ2012R150AT主要应用于各类便携式电子设备中需要进行高速信号线路共模滤波的场合。常见应用包括智能手机和平板电脑中的摄像头接口（如MIPI CSI-2）、显示屏接口（如MIPI DSI）、USB数据线（尤其是USB 2.0高速模式）以及蓝牙和Wi-Fi射频前端电路。在这些应用场景中，高速差分信号容易产生共模噪声，进而引发辐射发射超标或接收灵敏度下降的问题，使用该共模扼流圈可以显著改善系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　此外，该器件也适用于小型化物联网设备、智能手表、AR/VR头显设备以及其他采用高密度PCB布局的消费类电子产品。在工业控制领域，可用于隔离传感器信号线或通信总线上的共模干扰。由于其小尺寸和高可靠性，还可用于汽车电子中的信息娱乐系统或驾驶辅助摄像头模块，帮助通过严格的车载EMI认证测试。总体而言，任何需要在有限空间内实现高效EMI抑制的差分信号通道均可考虑采用此型号作为滤波元件。

BLM21PG150SN1D
　　ACM4320-151-3P-TL00
　　DLW21HN151XK2
　　GJM21BR150GA
　　PLT2WS151T